[發(fā)明專(zhuān)利]電容的制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210120234.0
• 申請(qǐng)日: 2012-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103377875A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種電容制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供金屬下電極；

以原子層沉積法，在所述金屬下電極上沉積至少一層金屬氮化層；

以原子層沉積法，在所述金屬氮化層上沉積至少一層高介電常數(shù)金屬氧化層，所述沉積金屬氮化層步驟與所述沉積高介電常數(shù)金屬氧化層步驟是原位工藝；以及

形成金屬上電極覆蓋所述高介電常數(shù)金屬氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容制作方法，其特征在于所述的金屬下電極材料與所述金屬上電極材料選自鋁、鎢、銅、鋁化鈦、鈦、氮化鈦、鉭與氮化鉭所組成的群組。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容制作方法，其特征在于所述沉積金屬氮化層步驟包括依次進(jìn)行：

在腔體內(nèi)，通入前驅(qū)物；

在所述腔體內(nèi)，通入惰性氣體；

在所述腔體內(nèi)，通入氨氣；以及

在所述腔體內(nèi)，再次通入所述惰性氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容制作方法，其特征在于所述的沉積高介電常數(shù)金屬氧化層步驟包括依次進(jìn)行：

在所述腔體內(nèi)，通入前驅(qū)物；

在所述腔體內(nèi)，通入惰性氣體；

在所述腔體內(nèi)，通入臭氧；以及

在所述腔體內(nèi)，再次通入所述惰性氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容制作方法，其特征在于所述金屬氮化層與所述的高介電常數(shù)金屬氧化層實(shí)質(zhì)上包含有相同的金屬離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容制作方法，其特征在于所述的高介電常數(shù)金屬氧化層材料可選自氧化鉿、硅酸鉿氧化合物、氧化鋁、氧化鑭、氧化鉭、氧化釔、氧化鋯、鈦酸鍶、硅酸鋯氧化合物、鋯酸鉿、鍶鉍鉭氧化物、鋯鈦酸鉛與鈦酸鋇鍶所組成的群組。