[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210120182.7
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103378295A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;黃輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其封裝方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層)，當電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會發(fā)光。近年來，有機電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應時間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。

目前，有機電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題，這主要是因為有機材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此，有機電致發(fā)光器件進入實際使用之前必須進行封裝，封裝的好壞直接關(guān)系到有機電致發(fā)光器件的壽命。

傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。目前，已有報道介紹將SiN_X或SiO_X等無機材料通過磁控濺射等方法設置在金屬陰極表面，用作有機電致發(fā)光器件的封裝層，但在磁控濺射的高溫操作條件下，金屬陰極表面易遭到破壞。

發(fā)明內(nèi)容

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其封裝方法。該封裝方法可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護金屬陰極免遭破壞。本發(fā)明方法適用于封裝以導電玻璃基板制備的有機電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯膜)或金屬為基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。

一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層，陽極基板和封裝層形成一封閉空間，功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在封閉空間內(nèi)，封裝層依次包括SiO膜、有機阻擋材料膜和負載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，

有機阻擋材料膜的材質(zhì)的化學結(jié)構(gòu)如式P所示，

P：

其中，R¹選自氫原子、碳原子數(shù)為0～6的直鏈烷基、支鏈烷基或環(huán)烷基，l是1～10的整數(shù)，m是5～15的整數(shù)，n是1～14的整數(shù)。R¹結(jié)合在由(CH₂)_m形成的環(huán)狀鏈的一個碳上，構(gòu)成由-CHR¹-表示的亞烷基。

優(yōu)選地，陽極基板為導電玻璃基板或?qū)щ娋蹖Ρ蕉姿嵋叶减ツせ濉?/p>

功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過真空蒸鍍的方法設置。

金屬陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。

封裝層依次包括SiO膜、有機阻擋材料膜和負載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。

SiO膜通過真空蒸鍍的方式沉積在金屬陰極表面。SiO膜的存在可以保護金屬陰極在后續(xù)磁控濺射的高溫操作條件下免遭破壞。優(yōu)選地，SiO膜的厚度為100nm～150nm。

有機阻擋材料膜通過真空蒸鍍的方式沉積在SiO膜表面。有機阻擋材料膜的存在可以保護金屬陰極在后續(xù)磁控濺射的高溫操作條件下免遭破壞，延長水氧滲透路徑，以及緩解無機層間的應力，防止無機層龜裂。優(yōu)選地，有機阻擋材料膜的厚度為80nm～140nm。

優(yōu)選地，封裝層還包括無機阻擋材料膜，無機阻擋材料膜設置在有機阻擋材料膜表面。

優(yōu)選地，無機阻擋材料膜的材質(zhì)選自SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、MgO、HfO₂、Ta₂O₅、Si₃N₄、AlN或SiN。優(yōu)選地，無機阻擋材料膜的厚度為80nm～150nm。