[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210120182.7 | 申請日: | 2012-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN103378295A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;黃輝 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 封裝 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層,所述陽極基板和所述封裝層形成一封閉空間,所述功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在所述封閉空間內(nèi),其特征在于,所述封裝層依次包括SiO膜、有機(jī)阻擋材料膜和負(fù)載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜,
所述有機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)的化學(xué)結(jié)構(gòu)如式P所示,
P:
其中,R1選自氫原子、碳原子數(shù)為0~6的直鏈烷基、支鏈烷基或環(huán)烷基,l是1~10的整數(shù),m是5~15的整數(shù),n是1~14的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機(jī)阻擋材料膜的厚度為80nm~140nm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述封裝層還包括無機(jī)阻擋材料膜。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機(jī)阻擋材料膜與所述無機(jī)阻擋材料膜交替層疊。
5.如權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述無機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)選自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、Si3N4、AlN或SiN。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
在陽極基板上采用真空蒸鍍的方法制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極;
通過蒸鍍的方式在所述金屬陰極表面蒸鍍SiO膜作為保護(hù)層,在所述述SiO膜表面蒸鍍有機(jī)阻擋材料膜,蒸鍍過程的真空度為8×10-5Pa~3×10-5Pa,蒸發(fā)速度為所述有機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)的化學(xué)結(jié)構(gòu)如式P所示,
P:
其中,R1選自氫原子、碳原子數(shù)為0~6的直鏈烷基、支鏈烷基或環(huán)烷基,l是1~10的整數(shù),m是5~15的整數(shù),n是1~14的整數(shù);
在有機(jī)阻擋材料膜表面制備負(fù)載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜;
在所述SiO膜、有機(jī)阻擋材料膜、負(fù)載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜以及陽極基板邊緣涂布紫外線膠,由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠,密封形成封閉空間,將所述功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在所述封閉空間內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述有機(jī)阻擋材料膜的厚度為80nm~140nm。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述制備方法進(jìn)一步包括,在所述有機(jī)阻擋材料膜表面上采用磁控濺射的方式制備無機(jī)阻擋材料膜,本底真空度為2×10-4Pa~2×10-5Pa,基靶間距50mm。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝方法,其特征在于,所述無機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)選自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、Si3N4、AlN或SiN。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝方法,其特征在于,所述無機(jī)阻擋材料膜的厚度為80nm~150nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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