[發明專利]一種有機電致發光器件及其封裝方法

無效

• 申請號: 201210120182.7
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103378295A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括陽極基板、功能層、發光層、金屬陰極和封裝層，所述陽極基板和所述封裝層形成一封閉空間，所述功能層、發光層和金屬陰極容置在所述封閉空間內，其特征在于，所述封裝層依次包括SiO膜、有機阻擋材料膜和負載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，

所述有機阻擋材料膜的材質的化學結構如式P所示，

P：

其中，R¹選自氫原子、碳原子數為0～6的直鏈烷基、支鏈烷基或環烷基，l是1～10的整數，m是5～15的整數，n是1～14的整數。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機阻擋材料膜的厚度為80nm～140nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述封裝層還包括無機阻擋材料膜。

4.如權利要求3所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機阻擋材料膜與所述無機阻擋材料膜交替層疊。

5.如權利要求3或4所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述無機阻擋材料膜的材質選自SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、MgO、HfO₂、Ta₂O₅、Si₃N₄、AlN或SiN。

6.一種有機電致發光器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極基板上采用真空蒸鍍的方法制備功能層、發光層和金屬陰極；

通過蒸鍍的方式在所述金屬陰極表面蒸鍍SiO膜作為保護層，在所述述SiO膜表面蒸鍍有機阻擋材料膜，蒸鍍過程的真空度為8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸發速度為所述有機阻擋材料膜的材質的化學結構如式P所示，

P：

其中，R¹選自氫原子、碳原子數為0～6的直鏈烷基、支鏈烷基或環烷基，l是1～10的整數，m是5～15的整數，n是1～14的整數；

在有機阻擋材料膜表面制備負載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜；

在所述SiO膜、有機阻擋材料膜、負載有金屬鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜以及陽極基板邊緣涂布紫外線膠，由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠，密封形成封閉空間，將所述功能層、發光層和金屬陰極容置在所述封閉空間內。

7.如權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述有機阻擋材料膜的厚度為80nm～140nm。

8.如權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述制備方法進一步包括，在所述有機阻擋材料膜表面上采用磁控濺射的方式制備無機阻擋材料膜，本底真空度為2×10^-4Pa～2×10^-5Pa，基靶間距50mm。

9.如權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，所述無機阻擋材料膜的材質選自SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、MgO、HfO₂、Ta₂O₅、Si₃N₄、AlN或SiN。

10.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述無機阻擋材料膜的厚度為80nm～150nm。