[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210120132.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103378302A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/54;B32B23/04 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 封裝 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括陽(yáng)極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層,所述陽(yáng)極基板和所述封裝層形成一封閉空間,所述功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在所述封閉空間內(nèi),其特征在于,所述封裝層依次包括SiO膜、有機(jī)阻擋材料膜和負(fù)載有金屬鋁的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜,
所述有機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)的化學(xué)結(jié)構(gòu)如式P所示,
其中,k是1~4的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機(jī)阻擋材料膜的厚度為80nm~150nm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述封裝層還包括無(wú)機(jī)阻擋材料膜。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機(jī)阻擋材料膜與所述無(wú)機(jī)阻擋材料膜交替層疊。
5.如權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述無(wú)機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)選自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、Si3N4、AlN或SiN。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
在陽(yáng)極基板上采用真空蒸鍍的方法制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極;
通過(guò)蒸鍍的方式在所述金屬陰極表面蒸鍍SiO膜作為保護(hù)層,在所述述SiO膜表面蒸鍍有機(jī)阻擋材料膜,蒸鍍過(guò)程的真空度為8×10-5Pa~3×10-5Pa,蒸發(fā)速度為所述有機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)的化學(xué)結(jié)構(gòu)如式P所示,
其中,k是1~4的整數(shù);
在有機(jī)阻擋材料膜表面制備負(fù)載有金屬鋁的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜;
在所述SiO膜、有機(jī)阻擋材料膜、負(fù)載有金屬鋁的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜以及陽(yáng)極基板邊緣涂布紫外線膠,由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠,密封形成封閉空間,將所述功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在所述封閉空間內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述有機(jī)阻擋材料膜的厚度為80nm~150nm。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述制備方法進(jìn)一步包括,在所述有機(jī)阻擋材料膜表面上采用磁控濺射的方式制備無(wú)機(jī)阻擋材料膜,本底真空度為2×10-4Pa~2×10-5Pa,基靶間距50mm。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝方法,其特征在于,所述無(wú)機(jī)阻擋材料膜的材質(zhì)選自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、Si3N4、AlN或SiN。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝方法,其特征在于,所述無(wú)機(jī)阻擋材料膜的厚度為80nm~150nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
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