[發(fā)明專利]橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210120057.6 | 申請日： | 2012-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN103137661B | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李鐘錫;洪坰國 | 申請（專利權(quán)）人： | 現(xiàn)代自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 橫向 擴(kuò)散 金屬 氧化物 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，包括：
在P-型基底上形成的n-漂移區(qū)；
在所述n-漂移區(qū)頂部表面的一側(cè)形成的p-基體的第一部分；
在所述n-漂移區(qū)頂部表面的另一側(cè)，由部分蝕刻的p-基體的第二部分形成的多個p-外延層；
通過向所述p-基體注入N-型和P-型離子而形成的n+源極和p+源極；
在所述n-漂移區(qū)上的所述外延層的一側(cè)處形成的n+漏極；
在所述p-基體的一個端部與各個所述p-外延層的一個端部之間的空間內(nèi)形成并且形成為將各個所述p-外延層封裝的場氧化膜；
在所述場氧化膜的溝槽部分中形成的柵氧化膜；
在所述n+源極和所述p+源極上形成的源電極；以及
在所述n+漏極上形成的漏電極。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述p-外延層沿與所述p-基體垂直的縱向方向呈間隔地布置成梳狀。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中在除所述n+源極的部分頂面和一個側(cè)面、所述p-基體的一個側(cè)面、所述n-漂移區(qū)的暴露表面以及各個所述p-外延層的一個端部的整個表面之上形成所述場氧化膜。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中在所述p-外延層與所述n-漂移區(qū)的接合面之間形成耗盡層，所述接合面包括所述n-漂移區(qū)與所述p-基體之間的接合面。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
