[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與半導(dǎo)體系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210119621.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103093830B | 公開(公告)日: | 2018-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜泰珍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/12 | 分類號(hào): | G11C29/12 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363 | 代理人: | 郭放,許偉群 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 器件 系統(tǒng) | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2011年11月4日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2011-0114799的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,且更具體而言,涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與半導(dǎo)體系統(tǒng)。
背景技術(shù)
一般而言,為了提高可靠性,半導(dǎo)體系統(tǒng)執(zhí)行故障測(cè)試以檢測(cè)有故障的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。通過以下處理來執(zhí)行故障測(cè)試:將相同的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元,然后讀取以檢查半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是否在故障測(cè)試中失效。基于寫入的數(shù)據(jù)是否與讀取的數(shù)據(jù)相同來確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是否失效(具有故障)。即,當(dāng)寫入的數(shù)據(jù)與讀取的數(shù)據(jù)相同時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被確定為好的器件,當(dāng)寫入的數(shù)據(jù)與讀取的數(shù)據(jù)不同時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被確定為壞的或者失效的器件。
故障測(cè)試之后,在內(nèi)部?jī)?chǔ)存半導(dǎo)體器件的故障信息。與在讀取操作過程中在內(nèi)部產(chǎn)生的延遲時(shí)鐘信號(hào)同步地執(zhí)行儲(chǔ)存操作,并且通過將與讀取命令同步地產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)延遲來產(chǎn)生所述延遲時(shí)鐘信號(hào)。
然而,當(dāng)由于PVT(工藝、電壓及溫度)變化在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中發(fā)生歪斜(skew)時(shí),與延遲的時(shí)鐘信號(hào)同步地調(diào)節(jié)定時(shí)是困難的,其中按所述定時(shí)來儲(chǔ)存被確定為故障單元的存儲(chǔ)器單元的信息。因此,以可靠的方式儲(chǔ)存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的故障信息可能是困難的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及一種半導(dǎo)體系統(tǒng),所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及半導(dǎo)體系統(tǒng)基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的故障信息產(chǎn)生脈沖并與所述脈沖同步地儲(chǔ)存故障信息。因此,盡管可能存在由于PVT變化而引起的時(shí)鐘歪斜,但仍可以可靠地儲(chǔ)存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的故障信息。
在一個(gè)實(shí)施例中,一種半導(dǎo)體系統(tǒng)包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被配置成在測(cè)試模式過程中,響應(yīng)于寫入命令在存儲(chǔ)器單元中儲(chǔ)存接收的數(shù)據(jù),響應(yīng)于讀取命令讀取儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)作為信息數(shù)據(jù),并且與當(dāng)信息數(shù)據(jù)的電平響應(yīng)于讀取命令而變化時(shí)產(chǎn)生的脈沖同步地在內(nèi)部?jī)?chǔ)存信息數(shù)據(jù)。
在另一個(gè)實(shí)施例中,一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:存儲(chǔ)單元,所述存儲(chǔ)單元被配置成與響應(yīng)于讀取命令而產(chǎn)生的讀取時(shí)鐘信號(hào)同步地輸出通過寫入操作而儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)作為測(cè)試數(shù)據(jù);感測(cè)放大單元,所述感測(cè)放大單元被配置成與通過將讀取時(shí)鐘信號(hào)延遲而產(chǎn)生的延遲時(shí)鐘信號(hào)同步地感測(cè)和放大測(cè)試數(shù)據(jù)并且輸出放大了的數(shù)據(jù)作為信息數(shù)據(jù);脈沖產(chǎn)生單元,所述脈沖產(chǎn)生單元被配置成產(chǎn)生包括當(dāng)信息數(shù)據(jù)的電平變化時(shí)產(chǎn)生的脈沖的脈沖信號(hào);以及儲(chǔ)存單元,所述儲(chǔ)存單元被配置成響應(yīng)于所述脈沖信號(hào)儲(chǔ)存信息數(shù)據(jù)。
在另一個(gè)實(shí)施例中,一種在測(cè)試模式期間操作半導(dǎo)體器件的方法可以包括:響應(yīng)于寫入命令在存儲(chǔ)器單元中儲(chǔ)存接收到的數(shù)據(jù);響應(yīng)于讀取命令讀取儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)作為信息數(shù)據(jù);以及與當(dāng)信息數(shù)據(jù)的電平響應(yīng)于讀取命令而變化時(shí)產(chǎn)生的脈沖同步地在內(nèi)部?jī)?chǔ)存信息數(shù)據(jù)。
附圖說明
結(jié)合附圖從下面詳細(xì)的描述中將更清晰地理解以上及其他的方面、特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn):
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的示例性配置的框圖;
圖2是示出包括在圖1的半導(dǎo)體系統(tǒng)中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的示例性配置的框圖;
圖3是包括在圖2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的示例性感測(cè)放大器單元的電路圖;
圖4是包括在圖2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的示例性脈沖產(chǎn)生單元的電路圖;
圖5是包括在圖2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的示例性儲(chǔ)存單元的電路圖;以及
圖6是解釋在圖1的半導(dǎo)體系統(tǒng)中執(zhí)行的故障測(cè)試的示例性時(shí)序圖。
具體實(shí)施方式
以下將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而,這些實(shí)施例只是出于說明性的目的,并不是為了限制本發(fā)明的范圍。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的示例性配置的框圖。
參見圖1,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,半導(dǎo)體系統(tǒng)包括測(cè)試電路1和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件2。測(cè)試電路1被配置成施加用于寫入操作的寫入命令WTCMD和數(shù)據(jù)DATA,施加用于讀取操作的讀取命令RDCMD,以及根據(jù)讀取操作接收輸出數(shù)據(jù)DOUT。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件2被配置成響應(yīng)于寫入命令WTCMD在存儲(chǔ)器單元中(未示出)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)DATA,響應(yīng)于讀取命令RDCMD在內(nèi)部?jī)?chǔ)存故障信息,并且輸出儲(chǔ)存的故障信息作為輸出數(shù)據(jù)DOUT。參見圖2,下面將更詳細(xì)地描述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件2的配置。
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G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備
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