[發明專利]半導體存儲器件與半導體系統

有效

• 申請號: 201210119621.2
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103093830B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 姜泰珍
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 郭放,許偉群

1.一種半導體系統，包括：

半導體存儲器件，所述半導體存儲器件被配置成：

在測試模式期間，存儲單元響應于寫入命令在存儲器單元中儲存接收的數據；

響應于讀取命令讀取存儲器單元中所儲存的數據作為信息數據；以及

響應于所述讀取命令、與在所述信息數據的電平變化時脈沖產生單元產生的脈沖同步地在儲存單元儲存所述信息數據。

2.如權利要求1所述的半導體系統，其中所述半導體存儲器件響應于測試模式信號來輸出所儲存的所述信息數據作為輸出數據。

3.如權利要求2所述的半導體系統，其中，所述半導體存儲器件包括：

存儲單元，所述存儲單元被配置成與響應于所述讀取命令而產生的讀取時鐘信號同步地輸出儲存在存儲器單元中的數據作為測試數據；

感測放大單元，所述感測放大單元被配置成與通過將所述讀取時鐘信號延遲而產生的延遲時鐘信號同步地感測和放大所述測試數據，并且輸出放大了的數據作為信息數據；

脈沖產生單元，所述脈沖產生單元被配置成產生包括當所述信息數據的電平變化時產生的脈沖的脈沖信號；以及

儲存單元，所述儲存單元被配置成響應于所述脈沖信號來儲存所述信息數據。

4.如權利要求3所述的半導體系統，其中，所述儲存單元響應于第一測試模式信號來輸出所儲存的信息數據作為所述輸出數據。

5.如權利要求4所述的半導體系統，還包括輸出控制單元，所述輸出控制單元被配置成響應于第二測試模式信號將所述輸出數據輸出到數據焊盤。

6.如權利要求3所述的半導體系統，其中，所述感測放大單元包括：

驅動部，所述驅動部被配置成接收所述測試數據并與所述延遲時鐘信號同步地驅動內部節點；以及

預充電緩沖器部，所述預充電緩沖器部被配置成對所述內部節點預充電，緩沖所述內部節點的信號，并且在讀取操作時段輸出緩沖了的信號作為所述信息數據。

7.如權利要求3所述的半導體系統，其中，所述脈沖產生單元響應于所述信息數據的下降沿來產生脈沖。

8.如權利要求3所述的半導體系統，其中，所述儲存單元通過鎖存響應于第一測試模式信號而被預充電的控制信號來產生所述輸出數據，并且通過在產生所述脈沖信號的脈沖時接收和鎖存所述信息數據來產生所述輸出數據。

9.如權利要求8所述的半導體系統，其中，所述儲存單元包括：

輸入部，所述輸入部被配置成響應于測試時鐘信號來接收所述信息數據；以及

控制信號產生部，所述控制信號產生部被配置成響應于所述第一測試模式信號傳送經由所述輸入部而輸入的數據作為控制信號，并且響應于所述測試時鐘信號鎖存所述控制信號。

10.如權利要求9所述的半導體系統，其中，所述儲存單元還包括：

緩沖器部，所述緩沖器部被配置成緩沖所述控制信號并且輸出緩沖了的信號作為所述輸出數據；以及

測試時鐘產生部，所述測試時鐘產生部被配置成響應于所述控制信號和所述脈沖信號來產生所述測試時鐘信號。

11.如權利要求1所述的半導體系統，包括測試電路，所述測試電路被配置成傳送用于寫入操作的所述寫入命令和數據，傳送用于讀取操作的所述讀取命令，并且根據所述讀取操作來接收輸出數據。

12.一種半導體存儲器件，包括：

存儲單元，所述存儲單元被配置成與響應于讀取命令而產生的讀取時鐘信號同步地輸出通過寫入操作而儲存在存儲器單元中的數據作為測試數據；

感測放大單元，所述感測放大單元被配置成與通過將所述讀取時鐘信號延遲而產生的延遲時鐘信號同步地感測和放大所述測試數據，并且輸出放大了的數據作為信息數據；

脈沖產生單元，所述脈沖產生單元被配置成產生包括當所述信息數據的電平變化時產生的脈沖的脈沖信號；以及

儲存單元，所述儲存單元被配置成響應于所述脈沖信號來儲存所述信息數據。

13.如權利要求12所述的半導體存儲器件，其中，所述儲存單元響應于第一測試模式信號來輸出所儲存的信息數據作為輸出數據。