[發明專利]去除多晶硅中金屬雜質的方法無效
| 申請號： | 201210119563.3 | 申請日： | 2012-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN102674365A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 張海霞;張海軍;車永軍;田鵬 | 申請（專利權）人： | 錦州新世紀石英（集團）有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 錦州遼西專利事務所 21225 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 121000 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 多晶 金屬 雜質 方法 | ||
1.一種去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：
1）、將高純度石墨坩堝放入爐膛內，將工業硅投入坩堝，所述的工業硅的投入量為坩堝容積的90%～100%；
2）、關閉爐蓋，啟動真空泵將爐膛內的空氣抽出，降低爐膛內壓力至10Pa以下；
3）、啟動加熱裝置，將工業硅全部融化后，緩慢調低加熱溫度至熔融的工業硅的溫度保持在1420℃～1421℃之間；
4）、關閉真空泵，打開進氣閥，向爐膛內充入保護氣體，使爐膛內的氣壓與大氣壓相同；
5）、將石墨氣冷裝置插入熔融的工業硅中，向石墨氣冷裝置中通入保護氣體，多晶硅析出并包裹在石墨氣冷裝置的表面，當石墨氣冷裝置表面的多晶硅的厚度為20mm～50mm時，將石墨氣冷裝置取出；
6）、用高純石墨棒將取出來的石墨氣冷裝置上的硅敲下至盛放容器中，得到提純的多晶硅；
7）、重復第5步、第6步至石墨氣冷裝置用于析出多晶硅的部分不能完全插入熔融的工業硅中，此時坩堝內殘余熔融的工業硅廢液。
2.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述工業硅全部融化后調低加熱溫度時，降溫速率為2℃/h～5℃/h。
3.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述保護氣體的通入速度為30L/min～40L/min。
4.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述石墨氣冷裝置是由石墨外套和設置在石墨外套內的進氣管構成。
5.根據權利要求1或4所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述石墨氣冷裝置插入熔融的工業硅時其插入深度為15cm～20cm。
6.根據權利要求1或4所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述石墨氣冷裝置以5r/min～8r/min的速度自轉。
7.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述保護氣體為氬氣、氖氣、氮氣或者氦氣。
8.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述真空泵為羅茨泵。
9.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述殘余熔融的工業硅廢液回收，然后投入坩堝內。
10.根據權利要求1所述的去除多晶硅中金屬雜質的方法，其特征是：所述高純度石墨坩堝、高純度石墨棒的純度為99.9%以上。
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