[發(fā)明專利]一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210119293.6
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN102707523A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 金玟秀;鄧立赟;周紀登
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;趙愛軍

技術領域

本發(fā)明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。其中，高級超維場轉換技術(ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS)，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優(yōu)點。

ADS模式TFT-LCD是利用公共電極和像素電極之間的邊緣場效應驅動液晶，根據(jù)其電極設計及層間結構，液晶透過率及特性大有變化。圖1為現(xiàn)有技術的ADS模式液晶顯示器的陣列基板的截面圖。如圖1所示，在所述陣列基板中，柵電極2形成在基板1上，柵電極2上形成有柵絕緣層4，柵絕緣層4上形成有半導體層5，源電極6和漏電極7形成在半導體層5上且相互分開著，像素電極12與漏電極7電連接后形成在柵絕緣層4上，公共電極16形成在保護膜13上，柵線(圖未示)和數(shù)據(jù)線8限定像素區(qū)域，柵焊盤3形成在基板1上，數(shù)據(jù)焊盤9形成在柵絕緣層4上。為了防止漏光，在數(shù)據(jù)線8上方形成一部分公共電極162。

在上述陣列基板中，公共電極162和數(shù)據(jù)8之間存在寄生電容(Cdp_data?to?Vcom)，像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間也存在寄生電容(Cdp_data?to?pixel)。在結構上，像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離較小時，寄生電容會比較大，這給像素電極12的充電特性帶來影響，隨之會影響到顯示的質量，導致畫面上出現(xiàn)污漬、殘像或者閃爍現(xiàn)象。為此，需要增加像素電極12和數(shù)據(jù)線8之間的距離來減小寄生電容，但這卻會導致像素的開口率降低。

另外，公共電極162和數(shù)據(jù)線8之間的寄生電容較大時，會導致數(shù)據(jù)線8上的信號發(fā)生延遲。液晶顯示器的分辨率越高、面積越大時，信號延遲會越嚴重。在現(xiàn)有的改善信號延遲的方法中，主要是通過提高數(shù)據(jù)線8和公共電極162間的保護膜13的厚度來降低寄生電容，但這會造成制造時間以及制造成本的急劇增加。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，以降低陣列基板中數(shù)據(jù)線上的信號延遲。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供技術方案如下：

一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括柵線、數(shù)據(jù)線以及位于柵線和數(shù)據(jù)線之間的多個像素單元，所述非顯示區(qū)域包括柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極相連接；所述公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極；所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層之間設置有保護膜；所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間、以及所述薄膜晶體管與所述保護膜之間設置有有機絕緣膜。

上述的陣列基板，其具體結構包括：

形成在基板上的柵電極和柵線；

形成在柵電極和柵線上的柵絕緣層；

形成在柵絕緣層上的半導體層和數(shù)據(jù)線；

形成在半導體層上的源電極和漏電極；

形成在源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和半導體層上的有機絕緣膜，有機絕緣膜上形成有第一接觸孔；

形成在有機絕緣膜上的像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接；

形成在像素電極和有機絕緣膜上的保護膜；

形成在保護膜上的公共電極，公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數(shù)據(jù)線上方的第二公共電極。

上述的陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線下方保留有半導體層材料，或者所述數(shù)據(jù)線下方與柵絕緣層直接接觸。

上述的陣列基板，其中，還包括：

與所述柵線位于同一層的柵焊盤；

與所述數(shù)據(jù)線位于同一層的數(shù)據(jù)焊盤；

在所述柵焊盤上方形成的第二接觸孔和柵焊盤電極，所述柵焊盤電極通過所述第二接觸孔與所述柵焊盤電連接；

在所述數(shù)據(jù)焊盤上方形成的第三接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極通過所述第三接觸孔與所述數(shù)據(jù)焊盤電連接。

上述的陣列基板，其中：所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線在沿平行于所述基板的方向之間的距離為0～1μm。