[發明專利]一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置

無效

• 申請號: 201210119293.6
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN102707523A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 金玟秀;鄧立赟;周紀登
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;趙愛軍

1.一種陣列基板，包括顯示區域和非顯示區域，所述顯示區域包括柵線、數據線以及位于柵線和數據線之間的多個像素單元，所述非顯示區域包括柵焊盤和數據焊盤，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極相連接，其特征在于，

所述公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數據線上方的第二公共電極；所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層之間設置有保護膜；

所述像素電極和所述數據線之間、以及所述薄膜晶體管與所述保護膜之間設置有有機絕緣膜。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的具體結構包括：

形成在基板上的柵電極和柵線；

形成在柵電極和柵線上的柵絕緣層；

形成在柵絕緣層上的半導體層和數據線；

形成在半導體層上的源電極和漏電極；

形成在源電極、漏電極、數據線和半導體層上的有機絕緣膜，有機絕緣膜上形成有第一接觸孔；

形成在有機絕緣膜上的像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接；

形成在像素電極和有機絕緣膜上的保護膜；

形成在保護膜上的公共電極，公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數據線上方的第二公共電極。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述數據線下方保留有半導體層材料，或者所述數據線下方與柵絕緣層直接接觸。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

與所述柵線位于同一層的柵焊盤；

與所述數據線位于同一層的數據焊盤；

在所述柵焊盤上方形成的第二接觸孔和柵焊盤電極，所述柵焊盤電極通過所述第二接觸孔與所述柵焊盤電連接；

在所述數據焊盤上方形成的第三接觸孔和數據焊盤電極，所述數據焊盤電極通過所述第三接觸孔與所述數據焊盤電連接。

5.如權利要求2～4任一項所述的陣列基板，其特征在于：

所述像素電極與所述數據線在沿平行于所述基板的方向之間的距離為0～1μm。

6.如權利要求2～4任一項所述的陣列基板，其特征在于：

所述有機絕緣膜的材料為聚丙烯酸。

7.如權利要求2～4任一項所述的陣列基板，其特征在于：

所述有機絕緣膜的厚度為

8.如權利要求2～4任一項所述的陣列基板，其特征在于：

所述保護膜采用無極絕緣材料，其厚度為

9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵電極、柵線和柵焊盤；

在形成有柵電極、柵線和柵焊盤的基板上形成柵絕緣層；

在形成有柵絕緣層的基板上形成半導體層、源電極、漏電極、數據線和數據焊盤；

在形成有半導體層、源電極、漏電極、數據線和數據焊盤的基板上形成有機絕緣膜，對有機絕緣膜進行構圖，以形成第一接觸孔，并暴露柵焊盤區域的柵絕緣層和數據焊盤；

在形成有有機絕緣膜的基板上形成像素電極，像素電極通過第一接觸孔與漏電極電連接；

在形成有像素電極的基板上形成保護膜，并對保護膜進行構圖，以形成第二接觸孔和第三接觸孔；

在形成有保護膜的基板上形成公共電極、柵焊盤電極和數據焊盤電極，公共電極包括位于像素電極上方的第一公共電極和位于數據線上方的第二公共電極，柵焊盤電極通過第二接觸孔與柵焊盤電連接，數據焊盤電極通過第三接觸孔與數據焊盤電連接。

10.如權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成半導體層、源電極、漏電極、數據線和數據焊盤，包括：

在形成有柵絕緣層的基板上形成半導體材料層；

對半導體材料層進行構圖，形成半導體層；

在形成有半導體層的基板上形成金屬層；

對金屬層進行構圖，形成源電極、漏電極、數據線和數據焊盤，并在源電極和漏電極之間的半導體層上形成溝道。