[發明專利]封裝件中的凸塊導線直連結構

有效

• 申請號: 201210119263.5
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN103137582A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 陳志華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

技術領域

本發明一般地涉及半導體技術領域，更具體地來說，涉及一種封裝件。

背景技術

凸塊導線直連(BOT)結構用于倒裝芯片封裝件中，其中，金屬凸塊直接接合到封裝基板中的較窄的金屬跡線上，而不是接合到金屬焊盤上，該金屬焊盤比與相應連接的金屬跡線具有更大的寬度。BOT結構需要更小的芯片面積，并且BOT結構的制造成本較低。BOT結構可以實現與以金屬焊盤為基礎的傳統的接合結構相同的可靠性。

有時，BOT結構可能剝落。例如，當器件管芯通過BOT結構接合至封裝基板時，由于器件管芯的熱膨脹系數(CTE)和封裝基板的CTE之間的明顯不匹配，所以可以在生成的封裝中產生應力。該應力施加在BOT結構中的金屬跡線上方，造成金屬線從相鄰的封裝基板中的介電層剝落。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發明的一方面，提供了一種器件包括：第一封裝元件，包括：第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述第一封裝元件的頂面上方；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第一錨定通孔被配置成不傳導流經所述第一金屬跡線的電流。

該器件進一步包括：第一介電層，所述第一介電層位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔延伸到所述第一介電層中；以及第二介電層，所述第二介電層位于所述第一介電層的下方，其中，所述第一錨定通孔的底面與所述第二介電層的頂面接觸。

該器件進一步包括：介電層，所述介電層位于所述第一金屬跡線的下方，其中，所述第一錨定通孔延伸到所述介電層中；錨定金屬部件，所述錨定金屬部件位于所述第一錨定通孔的底面下方并且與所述第一錨定通孔的底面接觸，其中，所述錨定金屬部件被配置成不傳導流經所述第一金屬跡線的電流。

該器件進一步包括：與所述第一錨定通孔相鄰的第二錨定通孔，其中，所述第二錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，以及其中，所述第二錨定通孔被配置成不傳導流經所述第一金屬跡線的電流。

該器件進一步包括：第二金屬跡線，所述第二金屬跡線位于所述第一金屬跡線的下方并水平地位于所述第一錨定通孔和所述第二錨定通孔之間，其中，所述第二金屬跡線位于直接在所述第一金屬跡線的金屬跡線層下方的金屬跡線層中。

該器件進一步包括：焊料區域，所述焊料區域與所述第一金屬跡線的頂面和側壁接觸，其中，所述焊料區域與所述第一錨定通孔相鄰。

該器件進一步包括：第二封裝元件，其中，所述第二封裝元件包括金屬柱，所述金屬柱通過所述焊料區域與所述第一金屬跡線接合。

在該器件中，所述第一封裝元件是封裝基板，并且所述第二封裝元件是器件管芯。

根據本發明的另一方面，提供了一種器件包括：第一封裝元件；第一金屬跡線，所述第一金屬跡線位于所述第一封裝元件的表面上方；第一凸塊導線直連(BOT)結構，包括：金屬柱；以及焊料區域，所述焊料區域將所述金屬柱與所述第一金屬跡線的部分接合；以及第一錨定通孔，所述第一錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第一錨定通孔被配置成不傳導流經所述第一金屬跡線的電流，以及其中，所述第一錨定通孔與所述焊料區域相鄰。

在該器件中，所述第一錨定通孔基本上與所述焊料區域對準。

在該器件中，所述第一錨定通孔與至少與所述金屬柱的部分重疊。

該器件進一步包括：第二錨定通孔，所述第二錨定通孔位于所述第一金屬跡線的下方并且與所述第一金屬跡線接觸，其中，所述第二錨定通孔被配置成不傳導流經所述第一金屬跡線的電流，以及其中，所述第二錨定通孔與所述焊料區域相鄰。

該器件進一步包括：第二金屬跡線，所述第二金屬跡線位于所述第一金屬跡線的下方并水平地位于所述第一錨定通孔和所述第二錨定通孔之間，其中，所述第二金屬跡線位于直接在所述第一金屬跡線的金屬跡線層下方的金屬跡線層中。

該器件進一步包括：第二封裝元件，其中，所述第二封裝元件包括金屬柱，所述金屬柱位于所述第二封裝元件的表面處。

在該器件中，所述第一封裝元件是封裝基板，并且所述第二封裝元件是器件管芯。