[發明專利]具有堆疊電容的金屬氧化物半導體場效應晶體管對及方法

有效

• 申請號: 201210119256.5
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN102751268A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 李漢祥;林逸程;陳大容
• 申請（專利權）人: 乾坤科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/64;H01L23/495;H01L23/367;H01L21/60
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術領域

本發明涉及一種具有堆疊電容的金屬氧化物半導體場效應晶體管對(MOSFET?PAIR)及其制造方法，且特別指有關于一種可調節輸入電壓與最佳化一低電磁干擾回路的具有堆疊電容的金屬氧化物半導體場效應晶體管對及其制造方法。

背景技術

隨著近年來電腦與網絡通訊的快速發展，交換式電源供應器廣泛地被應用在信息與通訊設備上，如個人電腦、服務器與路由器等等，而金屬氧化物半導體場效應晶體管對則是普遍地被用來當作交換式電源供應器的電壓調節器。

圖1概要地顯示該金屬氧化物半導體場效應晶體管對運作的電路圖，包括一第一金屬氧化物半導體場效應晶體管10與一第二金屬氧化物半導體場效應晶體管20，而該第一金屬氧化物半導體場效應晶體管10的漏極電性連接于該第二金屬氧化物半導體場效應晶體管20的源極。該第一金屬氧化物半導體場效應晶體管10與該第二金屬氧化物半導體場效應晶體管20將調節電壓源Vin的輸入電壓，并輸出至一輸出電容Cout與一裝置30，例如一經過一耦合電感器Lout的微處理器。

由于近來交換式電源供應器的發展已逐漸朝向高頻范圍，且更多寄生電感存在于如圖1的電路中，因此電磁干擾(Electromagnetic?Interference，EMI)已成為需要被克服的重要問題。傳統上，許多技術已被用來解決電磁干擾問題，例如一種利用無引線鍵合(wire-free?bonding)的封裝技術即為一種可減少寄生電感的簡單方法。然而，此法的改善效果有限。

請繼續參閱圖1，另一種傳統技術為連接一輸入電容Cin以減低電磁干擾。然而，若該輸入電容Cin被裝設于一印刷電路板上，則會產生額外的寄生電感。因此，這并非降低電磁干擾回路的最佳方法。

解決電磁干擾問題的另一種傳統技術為結合該輸入電容Cin與該金屬氧化物半導體場效應晶體管對以形成一模塊。請參閱圖2，其為顯示一傳統金屬氧化物半導體場效應晶體管模塊100的側面剖視概要結構圖。該模塊100包含一對金屬氧化物半導體場效應晶體管：一第一金屬氧化物半導體場效應晶體管40與一第二金屬氧化物半導體場效應晶體管50。兩者被并排地裝設于一下導線架60與一銅板70之間。此外，該第一金屬氧化物半導體場效應晶體管40及該第二金屬氧化物半導體場效應晶體管50各自與該下導線架60及該銅板70作電性連接。

一輸入電容80被裝設于該銅板70之上，使得其經由該銅板70與該第一金屬氧化物半導體場效應晶體管40及該第二金屬氧化物半導體場效應晶體管50作電性連接。因此，相較于先前所提及的其他技術，該模塊100可形成一低電磁干擾回路而更有效地抑制電磁干擾。

然而，該模塊100的結構包含下述缺點：1.該銅板70與該下導線架60的連接點將產生阻抗而降低該模塊的效率。2.由于當該模塊100裝設于一印刷電路板上時，只能經由該下導線架60散熱。因此，該模塊100的散熱能力是相當受限的。

因此，本發明提出一種具有一對金屬氧化物半導體場效應晶體管與一堆疊于一上導線架的輸入電容的模塊以克服上述的問題與缺點。

發明內容

根據上述問題，本發明的目的在于：提供一種具有一對金屬氧化物半導體場效應晶體管與一堆疊于一上導線架的輸入電容的結構以解決傳統電壓調節模塊的高內阻抗與低散熱能力的問題。

為實現上述目的，本發明公開如下技術方案：

本發明提供一種具有堆疊電容的金屬氧化物半導體場效應晶體管對，包含：

一下導線架，具有一上表面；

一上導線架，具有一平臺與多個外部導線，其中該平臺具有一內表面與一外表面；

一第一金屬氧化物半導體場效應晶體管，裝設于該上導線架的該內表面與該下導線架的該上表面之間，其中該第一金屬氧化物半導體場效應晶體管具有一第一源極電極、一第一漏極電極與一第一柵極電極，其中該第一源極電極及該第一柵極電極各自與該上導線架電性連接，且該第一漏極電極與該下導線架電性連接；

一第二金屬氧化物半導體場效應晶體管，裝設于該上導線架的該內表面與該下導線架的該上表面之間，其中該第二金屬氧化物半導體場效應晶體管裝設于該第一金屬氧化物半導體場效應晶體管的旁邊，且該第二金屬氧化物半導體場效應晶體管具有一第二源極電極、一第二漏極電極與一第二柵極電極，其中該第二源極電極及該第二柵極電極各自與該下導線架電性連接，且該第二漏極電極與該上導線架電性連接；及