[發(fā)明專利]具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210119256.5
• 申請(qǐng)日: 2012-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102751268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李漢祥;林逸程;陳大容
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 乾坤科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/64;H01L23/495;H01L23/367;H01L21/60
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，包含：

一下導(dǎo)線架，具有一上表面；

一上導(dǎo)線架，具有一平臺(tái)與多個(gè)外部導(dǎo)線，其中該平臺(tái)具有一內(nèi)表面與一外表面；

一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，裝設(shè)于該上導(dǎo)線架的該內(nèi)表面與該下導(dǎo)線架的該上表面之間，其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有一第一源極電極、一第一漏極電極與一第一柵極電極，其中該第一源極電極及該第一柵極電極各自與該上導(dǎo)線架電性連接，且該第一漏極電極與該下導(dǎo)線架電性連接；

一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，裝設(shè)于該上導(dǎo)線架的該內(nèi)表面與該下導(dǎo)線架的該上表面之間，其中該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝設(shè)于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的旁邊，且該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有一第二源極電極、一第二漏極電極與一第二柵極電極，其中該第二源極電極及該第二柵極電極各自與該下導(dǎo)線架電性連接，且該第二漏極電極與該上導(dǎo)線架電性連接；及

一電容，裝設(shè)于該上導(dǎo)線架的外表面上，其中該電容具有一第一電容電極與一第二電容電極各自與該上導(dǎo)線架電性連接，其中該第一源極電極經(jīng)由該上導(dǎo)線架與該第二電容電極電性連接，該第二漏極電極經(jīng)由該上導(dǎo)線架與該第一電容電極電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該第一源極電極及該第一柵極電極通過(guò)焊料、銀環(huán)氧樹(shù)脂或金球與該上導(dǎo)線架電性連接。

3.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該第一漏極電極通過(guò)焊料、銀環(huán)氧樹(shù)脂或金球與該下導(dǎo)線架電性連接。

4.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該第二源極電極及該第二柵極電極通過(guò)焊料、銀環(huán)氧樹(shù)脂或金球與該下導(dǎo)線架電性連接。

5.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該第二漏極電極通過(guò)焊料、銀環(huán)氧樹(shù)脂或金球與該上導(dǎo)線架電性連接。

6.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該電容通過(guò)焊接而裝設(shè)于該上導(dǎo)線架的外表面上。

7.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該上導(dǎo)線架是一體成型。

8.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該上導(dǎo)線架由銅所構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該下導(dǎo)線架是一體成型。

10.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該下導(dǎo)線架由銅所構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，進(jìn)一步包含一模塑組合物以覆蓋該下導(dǎo)線架、該上導(dǎo)線架的該平臺(tái)、該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與該電容，其中該上導(dǎo)線架的該外部導(dǎo)線暴露于該模塑組合物之外。

12.如權(quán)利要求11所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該模塑組合物由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。

13.如權(quán)利要求1所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，進(jìn)一步包含一裝置堆疊于該上導(dǎo)線架之上。

14.如權(quán)利要求13所述的具有堆疊電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)，其特征在于，該裝置包含一絕緣柵雙極型晶體管、一二極管及一散熱器。