[發明專利]發光器件封裝件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210119010.8
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN102751423A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 劉哲準
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60;H01L33/54
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張天舒

相關申請的交叉引用

本申請要求于2011年4月21日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2011-0037287的優先權，其公開內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及發光器件封裝件及其制造方法。

背景技術

通常，通過由發光二極管(LED)制成的發光器件封裝件已經被廣泛地用作各種電子產品以及移動通信終端(諸如個人移動電話、個人數字助理(PDA)等)的發光源，發光二極管允許根據施加在其上的電信號而發光。

發光二極管是一種能夠通過化合物半導體材料(諸如砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、InGaInP等)的變化來發出各種顏色的光的發光器件。

在作為光源的發光器件中，不斷地需要增加光通量，并且為此，需要增加芯片的尺寸并且改進芯片的性能。因此，從過去具有幾百μm尺寸的芯片，最近出現了具有幾個毫米(mm)尺寸的芯片。隨著用于沉積諸如GaN之類的半導體層的生長襯底的面積被擴大，可以期待芯片的尺寸會加速地增加。

然而，與發光器件芯片的操作期間產生的熱量相比，芯片尺寸的增加會產生更多的熱量，從而需要更加有效地進行散熱的努力。通常，可以將發光器件的熱管理操作分類為封裝件級、模塊級、系統級等等，并且已經積極地進行了對于允許熱輻射效率最大化的結構的研究。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供一種發光器件封裝件及其制造方法，在該發光器件封裝件中，芯片的底面被暴露于封裝件體的下部并且與裝配襯底直接接觸，使得在操作期間產生的熱因而可以被直接散發至裝配襯底，從而允許熱輻射效率最大化。

本發明的一個方面還提供一種發光器件封裝件，其中通過使用具有優良機械、電屬性的模塑材料而非密封材料來對芯片和導線進行密封，從而允許在導線接合可靠性方面進行改進。

根據本發明的一個方面，提供一種發光器件封裝件，其包括：包括多個電極焊盤的發光器件；以及支撐所述發光器件的主體部件，在所述主體部件的上表面中包括暴露所述發光器件的上表面的反射凹槽，并且通過所述主體部件的下表面暴露所述發光器件的下表面。

所述發光器件可以在其上表面上或者在其上表面和下表面上包括所述多個電極焊盤，并且可以通過所述主體部件對包括在上表面上的電極焊盤進行密封。

所述發光器件封裝件還可以包括多條接合線以及通過所述多條接合線電連接至所述多個電極焊盤的多個電極端子，其中可以通過所述主體部件對所述多條接合線和所述多個電極端子與所述發光器件一起整體地進行密封并支撐，并且所述多個電極端子可以的下表面通過所述主體部件的下表面被暴露。

所述多個電極端子中的每一個電極端子可以在其至少一個表面上包括多個凸起和凹陷，從而允許增加與所述主體部件的耦合力。

所述發光器件還可以在其下表面上包括所述多個電極焊盤，并且可以通過所述主體部件的下表面暴露所述多個電極焊盤。

所述發光器件的側表面可以被所述主體部件密封，并且所述側表面可以是傾斜的，使得所述發光器件具有倒金字塔形狀。

可以按照這樣的方式形成所述主體部件，其中所述主體部件的上表面被定位成與通過所述反射凹槽暴露的所述發光器件的上表面共面。

所述發光器件封裝件還可以包括密封部件，其被形成在所述反射凹槽中并且覆蓋所述發光器件的上表面。

所述密封部件可以包括熒光材料、散射材料以及散射材料和熒光材料的混合物中的任意一種。

所述發光器件封裝件還可以包括透鏡部件，其被提供在所述主體部件上并且覆蓋所述發光器件。

所述發光器件封裝件還可以包括在所述發光器件的上表面上形成的熒光層。

根據本發明的另一個方面，提供一種制造發光器件封裝件的方法，該方法包括步驟：將包括多個電極焊盤的發光器件裝配在載體膜上；通過模塑在所述載體膜上形成主體部件，以便通過在模具中注入樹脂來密封所述發光器件并且在所述主體部件的上表面中形成反射凹槽，所述反射凹槽暴露所述發光器件的上表面；以及去除所述載體膜。

該方法還可以包括在所述主體部件上形成透鏡部件以覆蓋所述發光器件的步驟。

該方法還可以包括在所述發光器件的裝配步驟之前，在所述載體膜上對多個電極端子進行圖案化的步驟。

所述發光器件可以在其上表面上或者在其上表面和下表面上包括所述多個電極焊盤，并且該方法還可以包括將在上表面上包括的電極焊盤通過多條接合線與所述多個電極端子電連接的步驟。