[發(fā)明專利]發(fā)光器件封裝件及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210119010.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102751423A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉哲準(zhǔn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星LED株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60;H01L33/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 陳源;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件封裝件,其包括:
包括多個(gè)電極焊盤(pán)的發(fā)光器件;以及
支撐所述發(fā)光器件的主體部件,在所述主體部件的上表面中包括暴露所述發(fā)光器件的上表面的反射凹槽,并且通過(guò)所述主體部件的下表面暴露所述發(fā)光器件的下表面。
2.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件,其中所述發(fā)光器件在其上表面上或者在其上表面和下表面上包括所述多個(gè)電極焊盤(pán),并且通過(guò)所述主體部件對(duì)包括在上表面上的電極焊盤(pán)進(jìn)行密封。
3.權(quán)利要求1或2的發(fā)光器件封裝件,還包括多條接合線以及通過(guò)所述多條接合線電連接至所述多個(gè)電極焊盤(pán)的多個(gè)電極端子,
其中通過(guò)所述主體部件對(duì)所述多條接合線和所述多個(gè)電極端子與所述發(fā)光器件一起整體地進(jìn)行密封并支撐,并且所述多個(gè)電極端子的下表面通過(guò)所述主體部件的下表面被暴露。
4.權(quán)利要求3的發(fā)光器件封裝件,其中所述多個(gè)電極端子中的每一個(gè)電極端子在其至少一個(gè)表面上包括多個(gè)凸起和凹陷,從而允許增加與所述主體部件的耦合力。
5.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件,其中所述發(fā)光器件在其下表面上包括所述多個(gè)電極焊盤(pán),并且通過(guò)所述主體部件的下表面暴露所述多個(gè)電極焊盤(pán)。
6.權(quán)利要求5的發(fā)光器件封裝件,其中所述發(fā)光器件的側(cè)表面被所述主體部件密封,并且所述側(cè)表面是傾斜的,使得所述發(fā)光器件具有倒金字塔形狀。
7.權(quán)利要求5或6的發(fā)光器件封裝件,其中以這樣的方式形成所述主體部件,其中所述主體部件的上表面被定位成與通過(guò)所述反射凹槽暴露的所述發(fā)光器件的上表面共面。
8.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件,還包括密封部件,其被形成在所述反射凹槽中并且覆蓋所述發(fā)光器件的上表面。
9.權(quán)利要求8的發(fā)光器件封裝件,其中所述密封部件包括熒光材料、散射材料以及散射材料和熒光材料的混合物中的任意一種。
10.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件,還包括透鏡部件,其被提供在所述主體部件上并且覆蓋所述發(fā)光器件。
11.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件,還包括在所述發(fā)光器件的上表面上形成的熒光層。
12.一種制造發(fā)光器件封裝件的方法,該方法包括步驟:
將包括多個(gè)電極焊盤(pán)的發(fā)光器件裝配在載體膜上;
通過(guò)模塑在所述載體膜上形成主體部件,以便通過(guò)在模具中注入樹(shù)脂來(lái)密封所述發(fā)光器件并且在所述主體部件的上表面中形成反射凹槽,所述反射凹槽暴露所述發(fā)光器件的上表面;以及
去除所述載體膜。
13.權(quán)利要求12的方法,還包括在所述主體部件上形成透鏡部件以覆蓋所述發(fā)光器件的步驟。
14.權(quán)利要求12的方法,還包括在所述發(fā)光器件的裝配步驟之前,在所述載體膜上對(duì)多個(gè)電極端子進(jìn)行圖案化的步驟。
15.權(quán)利要求14的方法,其中所述發(fā)光器件在其上表面上或者在其上表面和下表面上包括所述多個(gè)電極焊盤(pán),并且
該方法還包括將在上表面上包括的電極焊盤(pán)通過(guò)多條接合線與所述多個(gè)電極端子電連接的步驟。
16.權(quán)利要求15的方法,其中在所述主體部件的形成步驟中,其上表面通過(guò)所述反射凹槽被暴露的所述發(fā)光器件與所述多個(gè)電極端子和所述多條接合線一起被整體地密封。
17.權(quán)利要求12的方法,其中所述發(fā)光器件在其將要與所述載體膜接觸的下表面上包括所述多個(gè)電極焊盤(pán),并且在所述主體部件的形成步驟中,對(duì)所述主體部件進(jìn)行模塑,以便覆蓋所述發(fā)光器件的除了所述電極焊盤(pán)和通過(guò)所述反射凹槽暴露的上表面以外的表面。
18.權(quán)利要求17的方法,其中在所述主體部件的形成步驟中,以這樣的方式形成所述主體部件,其中所述主體部件的上表面被定位在與所述發(fā)光器件的上表面相同的平面上,或者被定位在與所述發(fā)光器件的上表面不同的平面上。
19.權(quán)利要求13的方法,還包括在所述主體部件的形成步驟與所述透鏡部件的形成步驟之間在所述發(fā)光器件的上表面上形成熒光層的步驟。
20.權(quán)利要求12的方法,還包括在所述載體膜的去除步驟之前,通過(guò)將探針電極插入到在所述載體膜上提供的探針通孔來(lái)對(duì)所述發(fā)光器件進(jìn)行測(cè)試的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





