[發明專利]一種低損耗高壓陶瓷電容器介質

無效

• 申請號: 201210118772.6
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN102627456A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 黃新友;高春華
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;H01G4/12
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其組成按照重量百分比計算：BaTiO_3?54-91%,?MgTiO_3?1-4%,BaZrO_3?4-20%,?SrZrO_3?3-12%,CeO_2?0.03-1.0%,ZnO?0.1-1.5%,?CaTiSiO_3??0.5-7.5%；其中BaTiO₃、MgTiO₃、BaZrO₃、SrZrO₃、CaTiSiO₃分別是采用常規的化學原料以固相法合成。

2.如權利要求1所述的一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其特征在于：其組成按照重量百分比計算：BaTiO₃66-82%,?MgTiO₃1-4%,BaZrO₃5-15%,SrZrO_3?5-10%,CeO₂0.3-0.6%,?ZnO0.3-0.7%?,?CaTiSiO_3?1.5-7.5%。

3.如權利要求1所述的一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其特征在于：其組成按照重量百分比計算：BaTiO₃70-85%,MgTiO₃1-4%,BaZrO₃5-15%,SrZrO₃5-10%,

CeO₂0.3-0.6%,ZnO0.3-0.7%?,?CaTiSiO₃1.5-7.5%。

4.如權利要求1所述的一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其特征在于：BaTiO_3?73-88%,MgTiO_3?1-4%,BaZrO_3?4-14%,?SrZrO_3?4-9%,CeO_2?0.3-0.6%,ZnO?0.3-0.7%?,?CaTiSiO_3?1.5-7.5%。

5.如權利要求1所述的一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其特征在于：所述MgTiO₃的制備過程如下：將常規的化學原料MgCO₃和TiO₂按1：1摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于1300℃保溫120分鐘，固相反應合成MgTiO₃，冷卻后研磨過200目篩，備用。

6.如權利要求1所述的一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其特征在于：所述SrZrO₃的制備過程如下：將常規的化學原料SrCO₃和ZrO₂按1：1摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于1350℃保溫120分鐘，固相反應合成SrZrO₃，冷卻后研磨過200目篩，備用。

7.??如權利要求1所述的一種低損耗高壓陶瓷電容器介質，其特征在于：所述CaTiSiO₃的制備過程如下：將常規的化學原料CaCO₃、TiO₂、SiO₂按1：1：1摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于1200-1250℃保溫120分鐘，固相反應合成CaTiSiO₃，冷卻后研磨過200目篩，備用。