[發(fā)明專利]一種液晶面板、液晶顯示裝置及其陣列基板的制作方法

無效

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• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN102636929A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 鄭揚霖
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;H01L21/77;H01L21/66
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦;丁建春

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種液晶面板、液晶顯示裝置及其陣列基板的制作方法。

背景技術

目前，液晶顯示器日益成為市場上顯示產(chǎn)品的主流，液晶面板是液晶顯示器的主要組成部分。在液晶面板的工藝制程中，需要在陣列基板上依次形成柵極金屬層、有源層、源極金屬層、貫穿孔(VIA)以及像素電極層。

在連接薄膜晶體管的源極與像素電極的貫穿孔的制程中，是通過刻蝕方法形成貫穿孔。而刻蝕形成貫穿孔的時間控制對制作精度的影響較大，現(xiàn)有技術采用預先給出一定刻蝕時間的方式來形成貫穿孔。

但是貫穿孔形成所需要的真實蝕刻時間，受前期制程得到的膜厚影響。前期制程的膜厚難以控制，進而使得貫穿孔形成所需要的真實蝕刻時間難以預定精確。在這種情況下，就存在預先給出的刻蝕時間過短或過長的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種液晶面板、液晶顯示裝置及其陣列基板的制作方法，能夠在偵測蝕刻終點(End?Point?Detector?mode，EPD)技術中，放大偵測電壓進而可以更加精確可靠地監(jiān)測貫穿孔的形成過程，保證貫穿孔的制作質(zhì)量。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是：提供一種液晶面板，液晶面板包括間隔設置的彩色濾光基板和陣列基板；陣列基板鄰近彩色濾光基板的表面設置有若干像素單元，像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及電連接薄膜晶體管和像素電極的貫穿孔；其中，像素單元之間或像素單元內(nèi)設置至少一個與貫穿孔一同采用偵測蝕刻終點模式蝕刻法形成的輔助孔。

其中，彩色濾光基板鄰近陣列基板的表面設置有黑色矩陣，黑色矩陣遮擋輔助孔。

其中，陣列基板是像素分割垂直配向液晶顯示器的陣列基板，輔助孔鄰近像素電極的一端設置。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是：提供一種液晶顯示裝置，液晶顯示裝置包括液晶面板和背光模組，背光模組為液晶面板提供光源，液晶面板包括間隔設置的彩色濾光基板和陣列基板；陣列基板鄰近彩色濾光基板的表面設置有若干像素單元，像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及電連接薄膜晶體管和像素電極的貫穿孔；其中，像素單元之間或像素單元內(nèi)設置至少一個與貫穿孔一同采用偵測蝕刻終點模式蝕刻法形成的輔助孔。

其中，彩色濾光基板鄰近陣列基板的表面設置有黑色矩陣，黑色矩陣遮擋輔助孔。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是：提供一種陣列基板的制作方法，包括：在玻璃基板上形成作為像素單元一部分的薄膜晶體管，像素單元形成于玻璃基板的第一區(qū)域內(nèi)，第一區(qū)域?qū)诓ＡЩ宓淖钚∏懈蠲姘鍐卧ＡЩ迳隙x有至少兩個間隔設置的第一區(qū)域，玻璃基板上的第一區(qū)域之間區(qū)域定義為第二區(qū)域，玻璃基板上的所有第一區(qū)域之外的周邊區(qū)域定義為第三區(qū)域；采用偵測蝕刻終點模式蝕刻法在玻璃基板上形成貫穿孔，貫穿孔電連接薄膜晶體管和后續(xù)蝕刻制程中所形成的像素電極，在偵測蝕刻終點模式蝕刻過程中，同時在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的至少一區(qū)域內(nèi)形成輔助孔，并且利用偵測蝕刻終點模式的測試方法對形成貫穿孔和輔助孔時的干蝕刻環(huán)境中的蝕刻劑以及生成物的濃度進行偵測，形成偵測數(shù)據(jù)；在形成偵測數(shù)據(jù)之后，將偵測數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)閭蓽y電壓。

其中，形成輔助孔的步驟，包括：將輔助孔形成于玻璃基板上對應彩色濾光基板的黑色矩陣的位置。

其中，形成輔助孔的步驟包括：形成輔助孔，并使得輔助孔鄰近像素電極的一端設置。

其中，輔助孔設置于第二區(qū)域或第三區(qū)域的電子線路相對較少的位置。

其中，陣列基板上包括只存在絕緣層的第四區(qū)域和剩余的第五區(qū)域，輔助孔設置于第四區(qū)域。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明在像素單元內(nèi)設置與貫穿孔一同形成的輔助孔，通過增設無功能的輔助孔的方式，等同于增加了EPD模式蝕刻法的偵測的對象，進而可以有效放大偵測數(shù)據(jù)對應的偵測電壓變化，使得可以更加精確可靠地監(jiān)測貫穿孔的形成過程，保證貫穿孔的制作質(zhì)量。

附圖說明

圖1是本發(fā)明液晶面板實施例的截面示意圖；

圖2是本發(fā)明如圖1所示一個像素單元的平面示意圖；

圖3是圖2所示輔助孔的沿AB方向的截面示意圖；

圖4是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實施例的流程圖；

圖5是圖4所示輔助孔形成步驟中所產(chǎn)生陣列基板的平面示意圖；

圖6是本發(fā)明陣列基板的制作方法第二實施例的流程圖；

圖7是現(xiàn)有技術中使用EPD模式蝕刻法的偵測電壓與干刻蝕時間關系圖；