[發(fā)明專利]一種液晶面板、液晶顯示裝置及其陣列基板的制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210118751.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102636929A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭揚(yáng)霖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;H01L21/77;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦;丁建春 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區(qū)公*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 液晶面板 液晶 顯示裝置 及其 陣列 制作方法 | ||
1.一種液晶面板,其特征在于:
所述液晶面板包括間隔設(shè)置的彩色濾光基板和陣列基板;
所述陣列基板鄰近彩色濾光基板的表面設(shè)置有若干像素單元,所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及電連接薄膜晶體管和像素電極的貫穿孔;
其中,所述像素單元之間或像素單元內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)與貫穿孔一同采用偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)模式蝕刻法形成的輔助孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板,其特征在于:
所述彩色濾光基板鄰近陣列基板的表面設(shè)置有黑色矩陣,所述黑色矩陣遮擋輔助孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板,其特征在于:
所述陣列基板是像素分割垂直配向液晶顯示器的陣列基板,所述輔助孔鄰近像素電極的一端設(shè)置。
4.一種液晶顯示裝置,所述液晶顯示裝置包括液晶面板和背光模組,所述背光模組為液晶面板提供光源,其特征在于:
所述液晶面板包括間隔設(shè)置的彩色濾光基板和陣列基板;
所述陣列基板鄰近彩色濾光基板的表面設(shè)置有若干像素單元,所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極以及電連接薄膜晶體管和像素電極的貫穿孔;
其中,所述像素單元之間或像素單元內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)與貫穿孔一同采用偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)模式蝕刻法形成的輔助孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置,其特征在于:
所述彩色濾光基板鄰近陣列基板的表面設(shè)置有黑色矩陣,所述黑色矩陣遮擋輔助孔。
6.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成作為像素單元一部分的薄膜晶體管,所述像素單元形成于玻璃基板的第一區(qū)域內(nèi),所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于玻璃基板的最小切割面板單元,所述玻璃基板上定義有至少兩個(gè)間隔設(shè)置的第一區(qū)域,所述玻璃基板上的第一區(qū)域之間區(qū)域定義為第二區(qū)域,所述玻璃基板上的所有第一區(qū)域之外的周邊區(qū)域定義為第三區(qū)域;
采用偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)模式蝕刻法在所述玻璃基板上形成貫穿孔,所述貫穿孔電連接薄膜晶體管和后續(xù)蝕刻制程中所形成的像素電極,在所述偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)模式蝕刻過(guò)程中,同時(shí)在所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的至少一區(qū)域內(nèi)形成輔助孔,并且利用偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)模式的測(cè)試方法對(duì)形成貫穿孔和輔助孔時(shí)的干蝕刻環(huán)境中的蝕刻劑以及生成物的濃度進(jìn)行偵測(cè),形成偵測(cè)數(shù)據(jù);在形成偵測(cè)數(shù)據(jù)之后,將所述偵測(cè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)閭蓽y(cè)電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:
所述形成輔助孔的步驟,包括:將所述輔助孔形成于玻璃基板上對(duì)應(yīng)彩色濾光基板的黑色矩陣的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:
所述形成輔助孔的步驟包括:形成所述輔助孔,并使得所述輔助孔鄰近像素電極的一端設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:
所述輔助孔設(shè)置于第二區(qū)域或第三區(qū)域的電子線路相對(duì)較少的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:
所述陣列基板上包括只存在絕緣層的第四區(qū)域和剩余的第五區(qū)域,所述輔助孔設(shè)置于第四區(qū)域。
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