[發(fā)明專利]高介電常數(shù)陶瓷/聚合物基復合介電材料的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210116870.6
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN102653622A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋洪松;楊程
• 申請（專利權(quán)）人: 中國航空工業(yè)集團公司北京航空材料研究院
• 主分類號: C08L27/16
• 分類號: C08L27/16;C08K9/06;C08K3/24;C08J5/18;B29C43/58
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 梁瑞林

1.高介電常數(shù)陶瓷/聚合物基復合介電材料的制備方法，其特征在于，制備的步驟如下：

1.1、填料預處理：將硅烷偶聯(lián)劑Si69滴加到鈦酸銅鈣陶瓷粉中，所滴加的硅烷偶聯(lián)劑Si69的質(zhì)量占鈦酸銅鈣陶瓷粉質(zhì)量的5％～30％，攪拌均勻，然后置于150℃烘箱中烘烤5min～15min；

1.2、配料：按照比例量取聚偏氟乙烯和預處理后的鈦酸銅鈣陶瓷粉末；鈦酸銅鈣陶瓷粉末所占的體積百分比為10％～40％，鈦酸銅鈣陶瓷粉末的顆粒尺寸為10μm～500μm，余量為聚偏氟乙烯；

1.3、配制原料混合液：將量取的鈦酸銅鈣陶瓷粉末與聚偏氟乙烯置于容器中，倒入N，N-二甲基甲酰胺，聚偏氟乙烯與N，N-二甲基甲酰胺的體積比為1∶(15～20)，放入磁力攪拌器中攪拌1h～2h，制成原料混合液；

1.4、涂膜：將原料混合液在玻璃板上涂膜，涂層厚度為0.1mm～0.8mm，自然干燥后揭下形成復合介電膜；

1.5、熱壓成形：將復合介電膜鋪在成形模具中，在熱壓機上壓制，壓制溫度為180℃～220℃、壓強為10MPa～20MPa，保壓時間10min～20min，制成高介電常數(shù)陶瓷/聚合物基復合介電材料。