[發明專利]發光器件陣列有效
| 申請號: | 201210116861.7 | 申請日: | 2012-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN102751271A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 李相雨;樸東昱;晉洪范 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 陣列 | ||
1.一種發光器件陣列,包括:
發光器件封裝,所述發光器件封裝包括發光器件和主體,所述主體包括第一引線框架和第二引線框架,所述第一引線框架和第二引線框架電連接到所述發光器件;以及
基板,所述發光器件封裝設置在所述基板上,所述基板包括基底層和金屬層,所述金屬層設置在所述基底層上并且電連接到所述發光器件封裝,
其中所述金屬層包括:
第一電極圖案和第二電極圖案,所述第一電極圖案和第二電極圖案電連接到所述第一引線框架和第二引線框架;以及
散熱圖案,所述散熱圖案與所述第一電極圖案或(和)第二電極圖案中的至少一個絕緣,吸收從所述基底層或(和)所述發光器件封裝中的至少一個生成的熱并且然后散發所述熱。
2.一種發光器件陣列,包括:
發光器件封裝,所述發光器件封裝包括發光器件和主體,所述主體包括第一引線框架和第二引線框架,所述第一引線框架和第二引線框架電連接到所述發光器件;以及
基板,所述發光器件封裝設置在所述基板上,所述基板包括:基底層;金屬層,所述金屬層設置在所述基底層上并且電連接到所述發光器件封裝;以及絕緣層,所述絕緣層設置在所述金屬層上,
其中所述金屬層包括:
第一電極圖案和第二電極圖案,所述第一電極圖案和第二電極圖案電連接到所述第一引線框架和第二引線框架;以及
散熱圖案,所述散熱圖案與所述第一電極圖案和第二電極圖案中的至少一個絕緣,吸收從所述基底層或(和)所述發光器件封裝中的至少一個生成的熱并且然后散發所述熱,
其中所述絕緣層的長度或(和)寬度中的至少一個小于所述基底層的長度或(和)寬度中的至少一個。
3.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,其中所述散熱圖案的寬度是所述發光器件封裝的寬度的0.7至1.2倍。
4.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,其中所述散熱圖案的長度是所述發光器件封裝的長度的0.7至1.1倍。
5.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,其中所述散熱圖案的一部分與所述發光器件封裝重疊。
6.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,其中所述散熱圖案電連接到所述第一引線框架和第二引線框架中的一個。
7.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,進一步包括:
導熱構件,所述導熱構件設置在所述散熱圖案上。
8.根據權利要求7所述的發光器件陣列,其中所述導熱構件由具有比基底層高的導熱率的材料形成。
9.根據權利要求7所述的發光器件陣列,其中所述導熱構件包括鉛(Pb)。
10.根據權利要求7所述的發光器件陣列,其中所述導熱構件的厚度是所述發光器件封裝的厚度的0.1至0.3倍。
11.根據權利要求2所述的發光器件陣列,其中所述絕緣層包括PSR墨和絕緣膜中的至少一個。
12.根據權利要求2所述的發光器件陣列,其中所述絕緣層與所述散熱圖案的一部分重疊。
13.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,其中所述基板包括印刷電路板(PCB)、柔性印刷電路板(FPCB)以及金屬芯PCB(MCPCB)中的至少一個。
14.根據權利要求1或者2所述的發光器件陣列,其中所述第一引線框架包括第一重疊突出,所述第一重疊突出與所述第二引線框架的至少一部分重疊。
15.根據權利要求14所述的發光器件陣列,其中所述第一重疊突出包括:
突出部分,所述突出部分相對于所述第二引線框架的表面在第一方向上形成;以及
延伸部分,所述延伸部分在與所述第一方向相交的第二方向上從所述突出部分延伸。
16.根據權利要求15所述的發光器件陣列,其中所述突出部分的長度是所述發光器件的厚度的1至4倍。
17.根據權利要求15所述的發光器件陣列,其中所述延伸部分的長度是所述第一引線框架和第二引線框架之間的分離距離的1.1至3倍。
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