[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210116344.X
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103258856A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 王裕霖;葉佳俊;蔡學宏;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明是有關于一種薄膜晶體管，且特別是關于一種包括電流抑制層的薄膜晶體管。

背景技術

有機發光二極管(Organic?light?emitting?diode，OLED)因其自發光、無視角依存、省電、工藝簡易、低成本、低溫度操作范圍、高應答速度以及全彩化等優點而具有極大的應用潛力，可望成為新時代平面顯示器的照明光源主流。

目前，在科技業者針對有機發光二極管材料進行改良與最佳化的結果，有機發光二極管可操作在較低的驅動電流。然而，由于有機發光二極管內的半導體層具有優異的電子遷移率，導致業者需借由增加半導體層的通道長度以換得低電流，使得有機發光二極管元件的開口率被犧牲。

此外，在其它類型的顯示面板與光偵測面板中，當操作電壓或電流因材料或工藝的改良而下降時，同樣會有開口率被犧牲的問題。

由此可見，上述現有的薄膜晶體管在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品又沒有適切結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。因此如何能創設一種新型結構的薄膜晶體管，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的薄膜晶體管存在的缺陷，而提供一種新型結構的薄膜晶體管，所要解決的技術問題是在提供一種薄膜晶體管，其可在低電流下操作，且其所占面積可被有效縮小，非常適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的其包括：一柵極；一半導體層；一絕緣層，配置于該柵極與該半導體層之間；一源極，連接至該半導體層；一漏極，連接至該半導體層，其中該源極與該漏極彼此分離配置；以及一電流抑制層，具有一第一部分與一第二部分，其中該第一部分配置于該半導體層與至少部分該源極之間，且該第二部分配置于該半導體層與至少部分該漏極之間。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分與該第二部分彼此分離配置。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分與該第二部分相接。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分也配置于該源極與該絕緣層之間，且該第二部分也配置于該漏極與該絕緣層之間。

前述的薄膜晶體管，其中所述的其更包括：一基板，其中該柵極配置于該絕緣層與該基板之間；一保護層，覆蓋該源極、該半導體層及至少部分該漏極，其中該保護層具有一貫孔，以暴露出該至少部分漏極；以及一導電材料，填充于該貫孔中，且覆蓋部分該保護層。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分也配置于該絕緣層與該保護層之間，且該第二部分也配置于該絕緣層與該保護層之間。

前述的薄膜晶體管，其中所述的其更包括一基板，其中該半導體層配置于該絕緣層與該基板之間。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分也配置于該源極與該基板之間，且該第二部分也配置于該漏極與該基板之間。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分也配置于該絕緣層與該基板之間，且該第二部分也配置于該絕緣層與該基板之間。

前述的薄膜晶體管，其中所述的其更包括：一保護層，覆蓋該柵極及該絕緣層，其中該保護層具有一第一貫孔，該絕緣層具有一第二貫孔，該第一貫孔與該第二貫孔連通并暴露出至少部分該漏極；以及一導電材料，填充于該第一貫孔與該第二貫孔中，并覆蓋部分該保護層。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該第一部分配置于該半導體層與該源極的一部分之間，且該源極的另一部分直接接觸該半導體層，該第二部分配置于該半導體層與該漏極的一部分之間，且該漏極的另一部分直接接觸該半導體層。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該電流抑制層的材料為金屬氧化物。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該電流抑制層的材料為硅氧化物、鋁氧化物或其組合。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該電流抑制層的厚度為2納米至100納米。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該電流抑制層的厚度為5納米至50納米。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該半導體層的材料為金屬氧化物半導體。

前述的薄膜晶體管，其中所述的該金屬氧化物半導體包括氧化銦鋅、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、氧化銦鎵鋅或其組合。