[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210116344.X
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103258856A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 王裕霖;葉佳俊;蔡學宏;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種薄膜晶體管，其特征在于其包括：

柵極；

半導體層；

絕緣層，配置于該柵極與該半導體層之間；

源極，連接至該半導體層；

漏極，連接至該半導體層，其中該源極與該漏極彼此分離配置；以及

電流抑制層，具有第一部分與第二部分，其中該第一部分配置于該半導體層與至少部分該源極之間，且該第二部分配置于該半導體層與至少部分該漏極之間。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分與該第二部分彼此分離配置。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分與該第二部分相接。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分也配置于該源極與該絕緣層之間，且該第二部分也配置于該漏極與該絕緣層之間。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括：

基板，其中該柵極配置于該絕緣層與該基板之間；

保護層，覆蓋該源極、該半導體層及至少部分該漏極，其中該保護層具有貫孔，以暴露出該至少部分漏極；以及

導電材料，填充于該貫孔中，且覆蓋部分該保護層。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分也配置于該絕緣層與該保護層之間，且該第二部分也配置于該絕緣層與該保護層之間。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括基板，其中該半導體層配置于該絕緣層與該基板之間。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分也配置于該源極與該基板之間，且該第二部分也配置于該漏極與該基板之間。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分也配置于該絕緣層與該基板之間，且該第二部分也配置于該絕緣層與該基板之間。

10.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括：

保護層，覆蓋該柵極及該絕緣層，其中該保護層具有第一貫孔，該絕緣層具有第二貫孔，該第一貫孔與該第二貫孔連通并暴露出至少部分該漏極；以及

導電材料，填充于該第一貫孔與該第二貫孔中，并覆蓋部分該保護層。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該第一部分配置于該半導體層與該源極的一部分之間，且該源極的另一部分直接接觸該半導體層，該第二部分配置于該半導體層與該漏極的一部分之間，且該漏極的另一部分直接接觸該半導體層。

12.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該電流抑制層的材料為金屬氧化物。

13.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該電流抑制層的材料為硅氧化物、鋁氧化物或其組合。

14.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該電流抑制層的厚度為2納米至100納米。

15.如權利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于該電流抑制層的厚度為5納米至50納米。

16.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該半導體層的材料為金屬氧化物半導體。

17.如權利要求16所述的薄膜晶體管，其特征在于該金屬氧化物半導體包括氧化銦鋅、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、氧化銦鎵鋅或其組合。