[發明專利]一種太陽能電池片的制絨方法

有效

• 申請號: 201210115765.0
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN103378212B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 姜俊剛;王勝亞;張丹;劉海英;孫玉星;廖濤明;王楠;姜新軍;李美娟;鹿兆巖
• 申請（專利權）人: 惠州比亞迪電池有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙)44325
• 代理人: 朱業剛

技術領域

本發明屬于太陽能電池領域，尤其涉及一種太陽能電池片的制絨方法。

背景技術

太陽能電池直接將光能轉化為電能，相對于其它能源而言，減少了很多造成能量流失的中間環節，所以對于整個地球能源系統而言，它相對于其他形式的太陽能利用方法，具有最高的利用率。同時，太陽能電池在使用過程中為零排放，對環境無污染，是現代低碳社會最具代表性的能源。

在晶硅太陽電池的制造過程中，為了收集更多的光線，太陽能電池領域的普遍做法為：將電池片浸泡在以氫氟酸和硝酸為主體的酸性腐蝕液或以NaOH或KOH為主體的堿性腐蝕液中，在電池片表面形成凹凸不平的減反射絨面。其中，酸性腐蝕液利用硅片在切割時形成的損傷，腐蝕后在表面形成不規則的凹坑狀絨面，其可適用于多晶或單晶硅片的制絨，但其反射率高達26~30%。堿性腐蝕液利用硅的晶體朝向可在單晶硅表面形成大小不一的金字塔結構的絨面，反射率為11~15%，但針對晶體朝向不規則的多晶硅則不適用。

為了捕獲更多的光線，現有技術中已公開在酸堿制絨的基礎上再利用等離子撞擊，可在硅片表面形成更加細致的表面紋理，表面反射率達到5%。但是等離子刻蝕方法獲得的絨面表面缺陷很大，使得電池的表面少子復合嚴重，電池性能提升有限。現有技術中也有公開采用光刻膠作掩膜，可在硅片表面形成蛾眼結構的絨面，其表面反射率可達4%，表面少子復合也很少，但該方法工藝復雜、成本高，且難以批量生產。

發明內容

本發明解決了現有技術中太陽電池表面制絨存在的絨面反射率高、表面缺陷多、以及工藝復雜難以批量生產的技術問題。

本發明提供了一種太陽能電池片的制絨方法，包括以下步驟：

A、在硅片表面涂覆硅漿料，形成高度為3-30μm的硅粉點陣；所述硅漿料為含有硅粉、粘結劑和水的混合物；

B、對表面形成有硅粉點陣的硅片表面進行化學腐蝕，腐蝕完成后在硅片表面形成凹凸減反射結構，得到制絨后的硅片。

本發明提供的太陽能電池片的制絨方法，通過在硅片表面先形成硅粉點陣，然后再進行化學腐蝕，腐蝕過程中硅粉點陣以及未被硅粉點陣覆蓋的硅片表面均發生腐蝕反應，因此腐蝕完成后可在硅片表面形成凹凸減反射結構。采用本發明提供的制絨方法得到的硅片的絨面反射率為5%以下，且絨面規則均勻，表面缺陷少，能有效提高太陽能電池片的性能；同時本發明提供的制絨方法工藝簡單，可批量生產，生產成本也較低。

附圖說明

圖1是在硅片表面形成硅漿凸起點陣的結構示意圖。

圖2是硅片表面化學腐蝕過程中的結構示意圖。

圖3是硅片表面化學腐蝕完成后的絨面結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

本發明提供了一種太陽能電池片的制絨方法，包括以下步驟：

A、在硅片表面涂覆硅漿料，形成高度為3-30μm的硅粉點陣；所述硅漿料為含有硅粉、粘結劑和水的混合物；

B、對表面形成有硅粉點陣的硅片表面進行化學腐蝕，腐蝕完成后在硅片表面形成凹凸減反射結構，得到制絨后的硅片。

本發明提供的太陽能電池片的制絨方法，通過在硅片表面先形成硅粉點陣，然后再通過化學腐蝕，腐蝕過程中硅粉點陣以及未被硅粉點陣覆蓋的硅片表面同時發生腐蝕反應，由于被腐蝕的高度不一致，因此腐蝕完成后可在硅片表面形成凹凸不平的絨面結構。

具體地，本發明中，所述硅漿料為含有硅粉、粘結劑和水的混合物。其中，水為漿料溶劑，使硅粉與粘結劑均勻分散。所述硅漿料中，步驟A中，所述硅漿料中硅粉與粘結劑的質量比為1：0.025-0.3。

本發明中，所述硅粉為現有技術中常用的各種硅粉，本發明沒有特殊限定。優選情況下，所述硅粉的粒徑為0.5-15μm，更優選為1-5μm。

所述粘結劑為現有技術中常見的各種能被化學腐蝕去除的粘結劑，因此在后續化學腐蝕過程中，硅粉點陣中的硅粉與粘結劑同時與腐蝕液發生反應，因此本發明中腐蝕完成后無需對硅片表面進行清洗。