[發明專利]一種金屬氧化物半導體電學參數測試器件及制造方法

有效

• 申請號: 201210114864.7
• 申請日: 2012-04-18
• 公開（公告）號: CN103378095A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 譚燦健
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

1.一種金屬氧化物半導體電學參數測試器件，所述半導體器件的柵極為金屬柵極，其特征在于，N型襯底的第一P型阱區域與第一N+區域形成的第一PN結構成第一個二極管，所述N型襯底的第二P型阱區域與第二N+區域形成的第二PN結構成第二個二極管，所述第一個二極管與所述第二個二極管反向并聯，并與所述柵極相連形成N型金屬氧化物半導體電學參數測試器件；或，

N型襯底與第一P+區域形成的第三PN結構成第三個二極管，所述N型襯底與第二P+區域形成的第四PN結構成第四個二極管，所述第三個二極管與所述第四個二極管反向并聯，并與所述柵極相連形成P型金屬氧化物半導體電學參數測試器件。

2.如權利要求1所述的半導體電學參數測試器件，其特征在于，所述N型金屬氧化物半導體電學參數測試器件的構成具體包括：

所述第一個二極管的陽極為第一P型阱區域；

所述第一個二極管的陰極為所述第一P型阱區域內注入N型雜質形成的第一N+區域；

所述第二個二極管的陽極為第二P型阱區域；

所述第二個二極管的陰極為所述第二P型阱區域內注入N型雜質形成的第二N+區域；

所述第一個二極管的陰極與所述第二個二極管的陽極接地，所述第一個二極管的陽極與所述第二個二極管的陰極與所述柵極相連；或，

所述第一個二極管的陽極與所述第二個二極管的陰極接地，所述第一個二極管的陰極與所述第二個二極管的陽極與所述柵極相連。

3.如權利要求要求2所述的半導體電學參數測試器件，其特征在于，所述第一個二極管與所述第二個二極管反向并聯并與所述柵極相連具體包括：

所述第一個二極管的陰極與所述第二個二極管的陽極接地，所述第一個二極管的陽極與所述第二個二極管的陰極上開通接觸孔，通過金屬布線與所述柵極相連；或，

所述第一個二極管的陽極與所述第二個二極管的陰極接地，所述第一個二極管的陰極與所述第二個二極管的陽極上開通接觸孔，通過金屬布線與所述柵極相連。

4.如權利要求1所述的半導體電學參數測試器件，其特征在于，所述P型金屬氧化物半導體電學參數測試器件的構成具體包括：

所述第三個二極管的陰極為N型襯底區域；

所述第三個二極管的陽極為所述N型襯底區域內注入P型雜質形成的第一P+區域；

所述第四個二極管的陰極為所述N型襯底區域；

所述第四個二極管的陽極為所述N型襯底區域內注入P型雜質形成的第二P+區域；

所述第三個二極管的陰極與所述第四個二極管的陽極接地，所述第三個二極管的陽極與所述第四個二極管的陰極與所述柵極相連；或，

所述第三個二極管的陽極與所述第四個二極管的陰極接地，所述第三個二極管的陰極與所述第四個二極管的陽極與所述柵極相連。

5.如權利要求要求4所述的半導體電學參數測試器件，其特征在于，所述第三個二極管與所述第四個二極管反向并聯并與所述柵極相連具體包括：

所述第三個二極管的陰極與所述第四個二極管的陽極接地，所述第三個二極管的陽極與所述第四個二極管的陰極上開通接觸孔，通過金屬布線與所述柵極相連；或，

所述第三個二極管的陽極與所述第四個二極管的陰極接地，所述第三個二極管的陰極與所述第四個二極管的陽極上開通接觸孔，通過金屬布線與所述柵極相連。

6.一種N型金屬氧化物半導體電學參數測試器件的制造方法，所述N型金屬氧化物半導體電學參數測試器件的柵極為金屬柵極，其特征在于，該方法包括：

N型襯底上形成第一P型阱區域；

所述第一P型阱區域內注入N型雜質形成第一N+區域；

所述第一P型阱區域與所述第一N+區域形成的第一PN結構成第一個二極管；

N型襯底上形成第二P型阱區域；

所述第二P型阱區域內注入N型雜質形成第二N+區域；

所述第二P型阱區域與所述第二N+區域形成的第二PN結構成第二個二極管；

所述第一個二極管與所述第二個二極管反向并聯并與所述柵極相連，形成N型金屬氧化物半導體電學參數測試器件。