[發明專利]一種新型的GaN基發光二極管器件及其制作方法無效
| 申請號： | 201210114535.2 | 申請日： | 2012-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN103378241A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 郝銳;馬學進;吳質樸 | 申請（專利權）人： | 江門市奧倫德光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 529000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 gan 發光二極管 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種新型的GaN基發光二極管結構，其中包括：依次層疊的襯底、第一種半導體載流子注入層、多量子阱結構、多量子阱結構的最后一個量子壘(LQB)及第二種半導體載流子注入層，所述多量子阱結構的最后一個量子壘(LQB)為多層或多組分復合結構，所述最后一個量子壘為一層或多層GaN類及其合金材料的外延結構。
2.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述多量子阱結構的最后一個量子壘(LQB)為多層復合結構。
3.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述最后一個量子壘的GaN類合金材料為AlGaN、InGaN、AlInGaN中的一種和幾種。
4.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：最后一個量子壘層結構為InxGa1-xN層疊加p型GaN層的復合結構。
5.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：最后一個量子壘層結構為InxGa1-xN層疊加AlyGa1-yN層的復合結構。
6.權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：最后一個量子壘層結構為InxGa1-xN層疊加p型GaN層，再疊加AlyGa1-yN層的復合結構。
7.權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：最后一個量子壘層結構為InxGa1-xN層疊加GaN層，再疊加p型GaN層的復合結構。
8.一種如權利1所述的發光二極管結構的制作方法，其特征在于：在制作好的N型氮化鎵半導體層后，采用MOCVD方法，包括如下生長步驟：
(1)生長GaN層：將生長溫度設定在700-900℃，反應器的壓力為100-500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮氣，通入流量為10-600sccm的TEG，生長時間為20-600s；
(2)生長InGaN層：將生長溫度設定在700-900℃，反應器的壓力為?100-500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮氣，通入流量為10-600sccm的TEG，還通入流量為10-600sccm的TMIn，生長時間為20-600s；
(3)重復以上步驟(1)和(2)形成一個量子阱周期，生長3-15個周期的量子阱；
(4)完成最后一個量子阱的生長后，將生長溫度設定在700-900℃，反應器的壓力為100-500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮氣，通入流量為10-600sccm的TEG，通入流量為0-600sccm的TMIn，通入流量為0-1000sccm的二茂鎂，通入流量為0-300sccm的TMA，生長多層或多組分復合結構的最后一個量子壘外延層。生長完成整個多量子阱結構后繼續制作發光二極管其他部分。?
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