[發明專利]一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法有效
| 申請號： | 201210114141.7 | 申請日： | 2012-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN102623333A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 徐強 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/318 | 分類號： | H01L21/318;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 形成 應力 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟：
提供具有N/PMOS晶體管的襯底；
在所述結構上沉積氧化硅緩沖層；
在所述結構上沉積具有高拉應力的第一氮化硅應力層；
對PMOS區域進行光刻以及蝕刻，去除該區域的第一氮化硅應力層和氧化硅緩沖層；
在所述結構上沉積具有高壓應力的第二氮化硅應力層；
對NMOS區域進行光刻以及蝕刻，去除該區域的第二氮化硅應力層。
2.根據權利要求1所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積氧化硅緩沖層的厚度為50-300A。
3.根據權利要求1所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積氧化硅緩沖層的應力范圍在50-500MPa之間。
4.根據權利要求1所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積第一氮化硅應力層和第二氮化硅應力層的厚度為100-800A。
5.根據權利要求1所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積第一氮化硅應力層和第二氮化硅應力層的應力范圍在500-2000MPa之間。
6.根據權利要求1所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述第一氮化硅應力層包括不摻雜的氮化硅部分和摻雜一定雜質元素的氮化硅部分。
7.根據權利要求6所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述摻雜一定雜質元素的氮化硅部分厚度在10-100A之間。
8.根據權利要求6所述的形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述雜質元素為F、B、P元素。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
