[發(fā)明專利]P-LDMOS的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210114133.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-17
• 公開（公告）號(hào): CN102623354A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葛洪濤;黃曉櫓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種P-LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成深N阱；

在所述深N阱中形成隔離結(jié)構(gòu)；

在所述深N阱的漏極區(qū)域形成P阱，在所述深N阱的源極區(qū)域形成N阱；

在所述深N阱上形成柵極；

進(jìn)行源漏輕摻雜工藝，在所述N阱和P阱內(nèi)分別形成源極輕摻雜區(qū)和漏極輕摻雜區(qū)；

在所述柵極的側(cè)壁形成柵極側(cè)墻；

進(jìn)行源漏重?fù)诫s以及退火工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)采用淺溝道隔離工藝形成。

3.如權(quán)利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述N阱和P阱均采用采用光刻和離子注入工藝形成。

4.如權(quán)利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述襯底為P型襯底。

5.如權(quán)利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述源漏重?fù)诫s中離子注入類型為P型。