[發明專利]頂柵型N-TFT、陣列基板及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210113559.6
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN102683354A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 胡理科;祁小敬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

1.一種頂柵型N-TFT，其特征在于，包括微摻雜N-TFT溝道區，所述頂柵型N-TFT的柵極厚度和柵絕緣層的厚度使得柵極和柵絕緣層能夠在進行摻雜工藝得到N-TFT輕摻雜區的同時阻擋部分摻雜離子從而得到微摻雜N-TFT溝道區。

2.如權利要求1所述的頂柵型N-TFT，其特征在于，所述頂柵型N-TFT的柵極的材料為鋁、釹或鋁釹合金，所述頂柵型N-TFT的厚度為30～50nm。

3.如權利要求1所述的頂柵型N-TFT，其特征在于，所述柵極絕緣層材料為SiNx層、SiO₂層或SiNx與SiO₂形成的復合層，所述柵極絕緣層的厚度為10～100nm。

4.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1～3任一所述的頂柵型N-TFT。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括頂柵型P-TFT，所述P-TFT的柵極的厚度大于所述N-TFT柵極的厚度。

6.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括頂柵型P-TFT，所述頂柵型P-TFT的柵極的厚度與所述N-TFT柵極的厚度相同。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求4～6任一所述的陣列基板。

8.一種頂柵型N-TFT的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、形成N-TFT重摻雜區；

S2、形成柵絕緣層、柵極，然后采用摻雜工藝形成N-TFT輕摻雜區和微摻雜的溝道區，其中，柵極厚度和柵絕緣層的厚度使得能夠在進行摻雜工藝得到N-TFT輕摻雜區的同時阻擋部分摻雜離子進入N-TFT溝道區，從而得到微摻雜的N-TFT溝道區。

9.如權利要求8所述的頂柵型N-TFT的制備方法，其特征在于，還包括：

S3、形成層間絕緣層；

S4、形成源漏電極。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如權利要8～9任一所述的頂柵型N-TFT的制備方法。

11.如權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括：S5、在形成頂柵型N-TFT的基板上形成鈍化層和像素電極。

12.如權利要求11所述的陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括頂柵型P-TFT，其特征在于，所述S2步驟中形成柵極時采用半色調掩膜或灰階掩膜工藝，在對N-TFT輕摻雜區和N-TFT溝道區進行摻雜時，將覆蓋在N-TFT柵極上的光刻膠全部去除，而保留覆蓋在P-TFT柵極上的光刻膠，對N-TFT柵極進行刻蝕，減小N-TFT柵極的厚度，之后將覆蓋在P-TFT柵極上的光刻膠全部去除，再對N-TFT輕摻雜區和N-TFT溝道區進行摻雜。

13.如權利要求11所述的陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括頂柵型P-TFT，其特征在于，在S2步驟中形成柵極時采用半色調掩膜或灰階掩膜工藝，在對N-TFT輕摻雜區和N-TFT溝道區進行摻雜時，將覆蓋在N-TFT柵極上的光刻膠全部去除，而保留覆蓋在P-TFT柵極上的光刻膠，在摻雜工藝完成后再去除覆蓋在P-TFT柵極上的光刻膠。

14.如權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括：在進行S1步驟之前先在基板上形成緩沖層。