[發明專利]耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法

無效

• 申請號: 201210110485.0
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN102618833A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 朱木典
• 申請（專利權）人: 東海縣海峰電子有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/18
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 劉喜蓮

技術領域

?本發明涉及一種晶振晶體片的加工方法，特別是一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法。

背景技術

晶振的全稱為晶體振蕩器（Crystal?Oscillators），其作用在于產生原始的時鐘頻率，晶振經過頻率發生器的放大或縮小后就成了電腦中各種不同的總線頻率。晶體片也稱頻率片，它是晶振的主體部件，在生產晶振時，需要對頻率片進行鍍膜處理，用于調節晶體片的頻率，同時起導電作用，形成磁場。現有技術中對晶體片鍍膜處理時，所鍍的膜均為銀材料膜，其缺陷是：所鍍的銀膜在使用時不容易附著，容易老化脫落，從而影響了晶振的使用壽命。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種設計更為合理、鍍膜附著能力強、有效延長了晶振的使用壽命的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法。

本發明所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現的。本發明是一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特點是：它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10～50%；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，按重量配比將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機的鉬舟上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態下加熱放置金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。

本發明所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法技術方案中：鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度優選為1.3×10^-2～6.7×10^-3?Mpa。

與現有技術相比，本發明方法設計合理，可操作性強。采用本發明方法制成的晶體片，鍍膜的耐高溫能力有效地提高，采用金、銀材料合金膜可以有效地減少阻抗，膜的附著力更強，不容易脫落。按常規方法制成晶振后，可以有效地降低其上機不良率，老化率降低，延緩老化，使其性能更穩定，有效地提高了晶振的合格率和使用壽命。

具體實施方式

以下進一步描述本發明的具體技術方案，以便于本領域的技術人員進一步地理解本發明，而不構成對其權利的限制。

實施例1，一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10%；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，按重量配比將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機的鉬舟上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態下加熱放置金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。

實施例2，一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的50%；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，按重量配比將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機的鉬舟上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態下加熱放置金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。

取按本實施例鍍膜方法得到的晶體片制得的產品，與傳統鍍膜方法制得的晶體片制得的產品進行對比，10MHz石英晶體對比加工后的產品高低溫測試數據參見下表：

備注：1、以上為W-2200溫特機自動測試???每溫度點保持3分鐘，∞不加負載；2、第1次測試和第2次測試為同一只產品在相同溫度下測試2次，對比變化量。

從上表可以看出：采用本發明方法的產品在相同高低溫下頻率變化量小，改善幅度較大，改善幅度占傳統方法的62.85%。在不同溫度點的沖擊下，其頻率變化值小，產品振蕩的穩定性高，對環境的適應性好。即說明鍍合金材料耐溫度性能好于普通銀材料。

實施例3，實施例1或2所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法：鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度為1.3×10^-2?Mpa。

實施例4，實施例1或2所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法：鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度為6.7×10^-3?Mpa。

實施例5，實施例1或2所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法：鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度為1.0×10^-2??Mpa。