[發(fā)明專利]耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210110485.0
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN102618833A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱木典
• 申請（專利權(quán)）人: 東海縣海峰電子有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/18
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 劉喜蓮

1.一種耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于：它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式在晶體片的正反兩面鍍上金與銀組合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10~50%；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，按重量配比將金、銀合金材料置于分子泵鍍膜機的鉬舟上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態(tài)下加熱放置金、銀合金材料的鉬舟，至金、銀合金材料升華并鍍至晶體片的一面上形成合金膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將金、銀合金材料鍍至晶體片的另一面上，即可。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于：鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度為1.3×10^-2?~6.7×10^-3?Mpa。