[發明專利]DDMOS臺階柵氧化層實現的工藝方法有效
| 申請號： | 201210110034.7 | 申請日： | 2012-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN103377893A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 邢超;劉劍;孫堯 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ddmos 臺階 氧化 實現 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種DDMOS臺階柵氧化層實現的工藝方法，其特征在于：包含如下工藝步驟：
第1步，在P型硅襯底上進行N阱注入，然后場氧化，涂覆光刻膠并露光顯影，進行P阱注入；
第2步，注入工藝之后，通過光刻膠刻蝕使光刻膠開口增加；
第3步，進行濕法刻蝕，去除開口區域即DDMOS的P阱注入區域的上方的氧化層；
第4步，光刻膠剝離，并進行硅片表面清洗；
第5步，依傳統工藝在整個器件表面生長柵氧化層；
第6步，淀積多晶硅柵極并刻蝕，臺階狀的柵氧化層及多晶硅柵極制作完畢。
2.如權利要求1所述的DDMOS臺階柵氧化層實現的工藝方法，其特征在于：所述第1步中N阱深度大于P阱，以使N阱在P阱下方將P阱包住。
3.如權利要求1所述的DDMOS臺階柵氧化層實現的工藝方法，其特征在于：所述第2步中光刻膠刻蝕開口單邊控制在0.2μm～0.4μm之間，確保光刻膠窗口將P阱區完全打開，保證P阱區全部露出。
4.如權利要求1所述的DDMOS臺階柵氧化層實現的工藝方法，其特征在于：所述第6步中生成的臺階狀部分位于P阱區正上方靠近漏端的外側不侵入P阱上方的溝道區。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
