[發(fā)明專利]一種提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器讀出冗余度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210109589.X
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN102655123A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 俞柳江
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器讀出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一包括NMOS晶體管、PMOS晶體管和控制管的半導(dǎo)體襯底；

在所述PMOS晶體管和所述控制管的源極和漏極分別進(jìn)行選擇性刻蝕，去除掉所述源極和漏極的硅，在所述PMOS晶體管的源極和漏極形成第一凹進(jìn)區(qū)，在所述控制管的源極和漏極形成第二凹進(jìn)區(qū)；

在所述第一凹進(jìn)區(qū)和所述第二凹進(jìn)區(qū)內(nèi)分別淀積鍺硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高隨機(jī)存儲器讀出冗余度的方法，其特征在于，在提供一包括NMOS晶體管、PMOS晶體管和控制管的半導(dǎo)體襯底的步驟中，包括以下步驟：

在硅襯底進(jìn)行淺槽隔離工藝，制作淺槽隔離；

在硅襯底上注入阱離子，形成阱底；

在硅襯底上制作多晶硅柵極、側(cè)墻形成。

3.如權(quán)利要求1所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器讀出冗余度的方法，其特征在于，所述控制管為NMOS器件。

4.如權(quán)利要求1所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器讀出冗余度的方法，其特征在于，在進(jìn)行源極和漏極選擇性刻蝕工藝步驟中，通過邏輯運(yùn)算，打開控制管區(qū)域和PMOS器件區(qū)域。