[發明專利]一種多用途Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料制備方法無效
| 申請號： | 201210109077.3 | 申請日： | 2012-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN103372433A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 彭奎慶;王新 | 申請（專利權）人： | 北京師范大學 |
| 主分類號： | B01J23/745 | 分類號： | B01J23/745;B01J23/89;H01M4/38;H01M4/52 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100875*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多用途 silicon fe sub 納米 復合材料 制備 方法 | ||
1.一種多用途Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料制備方法，其特征在于：所述方法依次按如下步驟進行：
(1)利用我們發明的硅微納米結構制備方法，在硅基底表面制備出硅微納米結構(如硅納米線、硅納米洞等)，隨后將硅微納米結構樣品在濃硝酸或王水溶液里面浸泡半小時去掉材料表面殘留的銀或金。
(2)將步驟(1)得到的硅微納米結構材料浸入含有硝酸鐵(也可以利用三氯化鐵等含三價鐵離子的物質替換硝酸鐵)的水溶液中，室溫浸泡5-150分鐘。隨后將樣品放入高溫爐中在真空(也可以是氬氣或氮氣)氣氛下350-500攝氏度處理30-360分鐘。
(3)將步驟(1)得到的硅微納米結構材料浸入含有硝酸鐵(也可以利用三氯化鐵等含三價鐵離子的物質替換硝酸鐵)和氯金酸(也可以利用氯金酸鉀等含金離子的物質替換氯金酸)的水溶液中，室溫浸泡5-150分鐘。隨后將樣品放入高溫爐中在真空(也可以是氬氣或氮氣)氣氛下350-500攝氏度處理30-360分鐘。
(4)將步驟(1)得到的硅微納米結構材料浸入含有硝酸鐵(也可以利用三氯化鐵等含三價鐵離子的物質替換硝酸鐵)和氯鉑酸(也可以利用氯鉑酸鉀等含鉑離子的物質替換氯鉑酸)的水溶液中，室溫浸泡5-150分鐘。隨后將樣品放入高溫爐中在真空(也可以是氬氣或氮氣)氣氛下350-500攝氏度處理30-360分鐘。
2.根據權利要求1所述的一種多用途Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料制備方法，上述步驟中用到的硝酸鐵濃度范圍為0.5-5.0mol/L之間，氯金酸濃度范圍為0.001-0.1mol/L，氯鉑酸濃度范圍為0.001-0.1mol/L。
3.根據權利要求1所述的一種多用途Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料制備方法，所述步驟(2)得到的Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料是優異的光催化、氣敏和鋰電池負極材料。
4.根據權利要求1所述的一種多用途Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料制備方法，所述步驟(3)得到的Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料是優異的光催化、氣敏和鋰電池負極材料。
5.根據權利要求1所述的一種多用途Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料制備方法，所述步驟(4)得到的Silicon/α-Fe2O3微納米復合材料是優異的光催化、氣敏和鋰電池負極材料。
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