[發明專利]發光立方相碳化硅納米線的制備方法有效
| 申請號: | 201210108215.6 | 申請日: | 2012-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN102616782A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 朱駿;陳小兵;吳悅迪;陳海濤 | 申請(專利權)人: | 揚州大學 |
| 主分類號: | C01B31/36 | 分類號: | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 揚州蘇中專利事務所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 許必元 |
| 地址: | 225009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 立方 碳化硅 納米 制備 方法 | ||
1.一種發光立方相碳化硅納米線的制備方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)粉碎一氧化硅粉末:將市售分析純一氧化硅粉末與瑪瑙球一起加入聚氟乙烯罐中,瑪瑙球與一氧化硅粉末的重量比約為10-15:1,再在其中加入無水乙醇浸沒瑪瑙球與一氧化硅粉末,然后密封,用行星式球磨機球磨12-24小時,轉速為每分鐘300-400轉;球磨后的糊狀物在60-80?oC,減壓條件下干燥,得到尺度為幾百納米的納米一氧化硅粉末;
(2)高溫反應生成立方相碳化硅納米線:將經過球磨后的納米一氧化硅粉末與活性碳粉末,分置于一個長型氧化鋁舟的兩端,納米一氧化硅粉末與活性碳粉末的摩爾比為1:2-3,一氧化硅粉末與活性碳粉末疏松地平鋪于氧化鋁舟中,中間間隔0.9-1.1?cm,然后在平鋪有一氧化硅粉末與活性碳粉末的氧化鋁舟上面對面蓋上一個規格相同的氧化鋁舟,將其放在一個氧化鋁管中,并一起置于一水平管式爐中,在2小時之內將管式爐分次加熱至1200-1300?oC,保溫2-4小時后關閉管式爐電源,自然降溫至室溫;在管式爐加熱之前,往氧化鋁管中通入純度為99%的氬氣,流量為每分鐘500立方厘米,時間為20分鐘,以排除管道中的空氣;開始加熱后,氬氣的流量降到每分鐘40立方厘米,直至管式爐降溫至室溫,制得立方相碳化硅納米線混合物;
(3)?立方相碳化硅納米線的純化:在制得立方相碳化硅納米線混合物中收集高溫反應后的活性碳粉末堆,去除反應后剩余的活性碳粉末,將活性碳粉末堆在空氣中加熱至為600-700?oC,保溫2-3小時,即得到立方相碳化硅納米線,該立方相碳化硅納米線在紫外光激發下,有較強的藍光發射。
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