[發明專利]半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201210107541.5
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN103378102A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

半導體底材，具有溝槽；

電容器導電材料，位在溝槽內；

電介質層，位在溝槽中且包圍電容器導電材料；以及

導電阻擋層，位在在電容器導電材料和半導體底材之間，被電介質層圍繞，而且直接接觸電容器導電材料和半導體底材，作為電性連接電容器導電材料和半導體底材的縮減埋藏式連接帶結構。

2.根據權利要求1的半導體結構，其特征在于電介質層圍繞且直接接觸導電阻擋層。

3.根據權利要求1的半導體結構，其特征在于導電阻擋層同時位在電容器導電材料、電介質層和半導體底材之間。

4.根據權利要求1的半導體結構，其特征在于電介質層包含第一介質層以及第二介質層，其中，第一介質層和第二介質層不同，且分別具有互補的傾斜面。

5.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供位在半導體底材中的溝槽、電容器導電材料、第一介質層、第一導電阻擋層和第二導電阻擋層，其中，電容器導電材料位在溝槽內且具有凹槽、第一介質層圍繞電容器導電材料，第一導電阻擋層位在電容器導電材料和半導體底材之間，而第二導電阻擋層位在凹槽中；

在溝槽中填滿第一介質層；

利用回蝕技術去除填滿溝槽中部分的一介質層，使得第一介質層形成位在凹槽上的傾斜面，且暴露出電容器導電材料；

利用修整刻蝕技術去除部分暴露出的電容器導電材料，且同時移除部分的第一導電阻擋層，而縮小第一導電阻擋層的面積且暴露出部分的半導體底材；以及

在溝槽中填滿第二介質層，覆蓋電容器導電材料和縮小后第一導電阻擋層，使得第一導電阻擋層位在電容器導電材料和半導體底材間，且直接接觸電容器導電材料和半導體底材，作為電連接電容器導電材料和半導體底材的縮減埋藏式連接帶結構。

6.根據權利要求5的半導體結構的制備方法，其特征在于在溝槽中填滿第一介質層前，移除第二導電阻擋層。

7.根據權利要求5的半導體結構的制備方法，其特征在于填滿溝槽的第一介質層具有不平坦的表面。

8.根據權利要求7的半導體結構的制備方法，其特征在于利用不平坦的表面和回蝕技術形成位在凹槽上的傾斜面。

9.根據權利要求5的半導體結構的制備方法，其特征在于使用時間模式和終點模式其中的至少一者準確控制修整刻蝕技術，準確縮小第一導電阻擋層的面積。

10.根據權利要求5的半導體結構的制備方法，其特征在于第一導電阻擋層阻擋半導體底材中的摻雜物擴散。