[發(fā)明專利]具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210106139.5
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN102623386A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 李成;黃詩浩;盧衛(wèi)芳;賴虹凱;陳松巖
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在SOI襯底上生長一層Si/SiGe/Si三明治結構；

2)對Si/SiGe/Si三明治結構進行光刻、刻蝕處理后，再沉積保護層，然后采用剝離工藝去掉光刻膠；

3)對樣品進行選擇性氧化和退火，得到局部GOI。

2.如權利要求1所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述生長采用分子束外延或化學汽相沉積法，首先在SOI襯底上外延生長SiGe合金薄膜，對樣品進行清洗去除有機污染物、氧化物和金屬雜質。

3.如權利要求2所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于所述SiGe合金薄膜的Ge組份在0～1之間，Ge層的厚度為5～50nm。

4.如權利要求1所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述光刻的臺面尺度小于100μm。

5.如權利要求1所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述刻蝕的深度為到達SOI襯底的隱埋SiO₂層。

6.如權利要求1所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述沉積Si₃N₄保護層利用高真空化學汽相淀積設備沉積一層介質材料為Si₃N₄或SiO₂絕緣介質材料保護層。

7.如權利要求1所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于在步驟3)中，采用電阻式加熱氧化爐對樣品進行選擇性氧化和退火。

8.如權利要求7所述的具有張應變的絕緣體上鍺薄膜的制備方法，其特征在于所述氧化的溫度小于SiGe層的熔點。