[發明專利]半導體元件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210104370.0
• 申請日: 2012-04-11
• 公開（公告）號: CN102623403A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 許哲銘
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟：

(a)提供一半導體晶圓及一第一載體，該半導體晶圓包括數個條切割道及數個晶粒，所述切割道定義出所述晶粒；

(b)利用一黏膠將該半導體晶圓黏附至該第一載體，其中該黏膠包括數個條黏膠線段以定義出數個容置空間，所述黏膠線段對應所述切割道，且所述容置空間對應所述晶粒；

(c)附著數個上半導體元件至該半導體晶圓上，其中所述上半導體元件電性連接至所述晶粒；

(d)附著一第二載體于所述上半導體元件；

(e)沿著所述切割道切割該半導體晶圓及該第一載體，以分別形成數個晶粒及數個第一載體單體；及

(f)移除所述第一載體單體及該第二載體。

2.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(a)中，該半導體晶圓更包括一半導體基板、一布線層、數個導通柱及數個導電元件，該半導體基板具有一第一表面及一第二表面，該布線層位于該半導體基板的第一表面，所述導通柱位于該半導體基板內，且電性連接至該布線層，所述導電元件鄰接于該布線層。

3.如權利要求2的制造方法，其中該步驟(b)中，所述導電元件位于所述容置空間中。

4.如權利要求2的制造方法，其中該步驟(b)中，所述黏膠線段的高度至少為所述導電元件的高度，且所述黏膠線段的寬度為所述切割道的寬度±5μm。

5.如權利要求2的制造方法，其中該步驟(b)之后更包括：

(b1)從該半導體基板的第二表面薄化該半導體基板，以顯露出所述導通柱；

(b2)形成一鈍化層位于該半導體基板的第二表面，以覆蓋所述導通柱；

(b3)移除部分該鈍化層，使得所述導通柱凸出于該鈍化層；及

(b4)形成數個保護蓋以覆蓋所述導通柱的凸出部分；

其中，該步驟(c)中，所述上半導體元件電性連接至所述導通柱。

6.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(a)的該第一載體為透明材質，且該步驟(d)的該第二載體為一膠帶。

7.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(b)形成一黏膠于該半導體晶圓上或該第一載體上，且利用該黏膠將該半導體晶圓黏附至該第一載體。

8.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(b)之后更包括一固化該黏膠的步驟。

9.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(c)之后更包括：

(c1)沿著所述切割道切割該半導體晶圓，以形成數個溝槽，其中該半導體晶圓未被切斷；及

(c2)形成一第一封膠材料于該半導體晶圓上，其中該第一封膠材料位于所述上半導體元件間的間隙及所述溝槽內。

10.如權利要求9的制造方法，其中所述溝槽的寬度大于所述切割道的寬度，且該步驟(e)中，所述切割道經過所述溝槽而在每一晶粒的側邊上形成側邊缺口。

11.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(c)之后更包括一形成一第一封膠材料于該半導體晶圓上的步驟，其中該第一封膠材料位于所述上半導體元件間的間隙。

12.如權利要求11的制造方法，更包括一切割該第一封膠材料及該半導體晶圓的步驟。

13.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(e)中，該黏膠完全被移除。

14.如權利要求1的制造方法，其中該步驟(e)中，部分該黏膠殘留在所述晶粒及所述第一載體單體之間，且該步驟(f)將所述晶粒及所述第一載體單體浸泡一溶劑，以移除所述第一載體單體。