[發明專利]半導體元件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210104370.0
• 申請日: 2012-04-11
• 公開（公告）號: CN102623403A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 許哲銘
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術領域

本發明關于一種半導體元件及其制造方法，詳言之，關于一種制造方法中半導體晶圓的處理(Handling)及輸送(Transport)。

背景技術

在工藝中間狀態的半導體晶圓從一個工作站移到另一個工作站時必須非常小心的處理，以防止該晶圓受到損壞。通常，晶圓夾頭(Wafer?Chuck)安裝在晶圓或載體的表面。然而，此種方式會損壞晶圓，尤其是該夾頭從該晶圓拆卸下來時。由于減少該半導體晶圓厚度的努力一直在持續中，改良的半導體晶圓的處理及輸送技術將會變得越來越重要。

發明內容

本發明提供一半導體元件，其包括一晶粒、一上半導體元件及一第一封膠材料。該晶粒包括一半導體基板、一布線層、一鈍化層、數個導通柱及數個導電元件。該半導體基板具有一第一表面、一第二表面及二側邊缺口，這些側邊缺口位于該第二表面的二側邊。該布線層位于該半導體基板的第一表面。該鈍化層鄰接該半導體基板的第二表面。這些導通柱貫穿該半導體基板，電性連接至該布線層且凸出于該鈍化層的外。這些導電元件鄰接于該布線層。該上半導體元件鄰接于該半導體基板的第二表面，且電性連接至這些導通柱。該第一封膠材料包覆該上半導體元件及該鈍化層，且更位于這些側邊缺口內。

本發明另提供一種半導體元件的制造方法，其包括以下步驟：(a)提供一半導體晶圓及一第一載體，該半導體晶圓包括數個條切割道及數個晶粒，這些切割道定義出這些晶粒；(b)利用一黏膠將該半導體晶圓黏附至該第一載體，其中該黏膠包括數個條黏膠線段以定義出數個容置空間，這些黏膠線段對應這些切割道，且這些容置空間對應這些晶粒；(c)附著數個上半導體元件至該半導體晶圓上，其中這些上半導體元件電性連接至這些晶粒；(d)附著一第二載體于這些上半導體元件；(e)沿著這些切割道切割該半導體晶圓及該第一載體，以分別形成數個晶粒及數個第一載體單體；及(f)移除這些第一載體單體及該第二載體。

在本實施例中，由于該黏膠可在切割工藝中完全被移除，而可不必再進行習知浸泡溶劑以去除該黏膠的步驟；或者，少量的黏膠在切割工藝后殘留，僅需簡短的浸泡溶劑時間即可去除，因此可節省制造時間及成本。

附圖說明

圖1顯示本發明半導體元件的一實施例的示意圖；

圖2至圖12顯示本發明半導體元件的制造方法的一實施例的示意圖；

圖13顯示本發明半導體元件的另一實施例的示意圖；

圖14至圖16顯示本發明半導體元件的制造方法的另一實施例的示意圖；

圖17顯示本發明半導體元件的制造方法的另一實施例的示意圖；

圖18顯示本發明半導體元件的制造方法的另一實施例的示意圖；及

圖19顯示本發明半導體封裝結構的一實施例的示意圖。

具體實施方式

參考圖1，顯示本發明半導體元件的一實施例的示意圖。該半導體元件1包括一晶粒16、一上半導體元件4及一第一封膠材料42。該晶粒16包括一半導體基板11、一布線層12、數個導通柱(Conductive?Via)13、數個阻絕層(Liner)131、一鈍化層(Passivation?Layer)18、數個導電元件14及數個保護蓋(Protection?Cap)3。

該半導體基板11具有一第一表面111及一第二表面112。在本實施例中，該半導體基板11為一硅基材。該布線層12位于該半導體基板11的第一表面111。該布線層12包括至少一介電層(未繪示)及至少一導線(未繪示)。該導線位于該介電層內。該導線可為銅、銅合金或其他導電金屬所制成，且可使用廣為人知的鑲嵌工藝(Damascene?Process)制成。此外，該布線層12可包括俗稱的層間介電層(Inter-layer?Dielectric，ILD)及金屬間介電層(Inter-metal?Dielectric，IMD)。

該鈍化層18鄰接該半導體基板11的第二表面112，且這些導通柱13及這些阻絕層131凸出于該鈍化層18之外。在本實施例中，這些導通柱13的頂面與這些阻絕層131的頂面共平面。該鈍化層18的材質為非感光性高分子聚合物，例如：苯環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亞胺(polyimide，PI)或環氧樹脂(epoxy)。