[發明專利]一種硅片吸附裝置及其吸附方法

有效

• 申請號: 201210103995.5
• 申請日: 2012-04-11
• 公開（公告）號: CN103367217A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 段立峰;馬明英;蔡良斌;李術新;王獻英
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

技術領域

本發明涉及部件固定領域，特別涉及一種硅片吸附裝置及其吸附方法。

背景技術

在半導體工藝制程中，硅片曝光時通常由承片臺上的吸盤吸附固定硅片。吸盤固定在工件臺上，吸盤上具有吸孔，吸孔分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上，如圖1所示。吸盤吸附硅片的原理如圖2所示，吸盤103上的每個吸孔101與抽氣管道分別相連，抽氣管道包括一個總管道105和多個分管道104，多個分管道104分別與總管道105連通。吸盤工作時，總管道105將每個分管道104里的氣體抽出，使硅片102與吸盤103之間形成真空，從而將硅片102固定于吸盤103上。該方法中，各個分管道104的空氣從總管道105中分流而出，因此在抽真空時，各個分管道104同時工作，從而使各個吸孔同時與硅片102之間形成真空。該硅片吸附方法在硅片未發生翹曲或發生較小翹曲時，可滿足硅片固定要求。但在半導體實際工藝過程中，硅片會受到各個工藝流程的影響而變形，特別到了后封裝階段，硅片最大的翹曲度可達1mm。在硅片發生較大翹曲的情況下，如圖3所示，會導致承片臺吸盤與硅片之間產生真空泄露，導致硅片無法被吸附牢固，從而發生拒片的情況，大大影響了產率。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于硅片發生較大翹曲時吸盤與硅片之間產生真空泄漏從而導致拒片。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種硅片吸附裝置，包括：

吸盤，固定于工件臺上，所述吸盤上分布有多個吸孔；

多個分管道，與所述吸孔分別對應且連接；

總管道，與所述多個分管道連通，將所述分管道和吸孔的氣體抽出，使硅片和所述吸盤之間形成真空并相互緊貼；

其特征在于，還包括，與所述多個分管道分別對應的多個控制器，控制各個分管道對吸孔抽取真空的時刻和真空度。

優選的，還包括多個密封圈，所述密封圈位于吸盤上且不覆蓋吸孔。

優選的，所述密封圈均勻分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

優選的，所述吸孔分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

優選的，所述吸孔均勻分布。

本發明還提供一種硅片吸附方法，包括：

根據硅片的翹曲方向規劃各個所述吸孔抽取真空的時刻；

根據硅片的翹曲程度規劃各個所述吸孔抽取真空的真空度；

根據規劃的各個所述吸孔抽取真空的時刻和真空度，由所述控制器控制所述分管道對所述吸孔抽取真空。

優選的，所述吸孔均勻分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

優選的，如果硅片的翹曲為從中心到邊緣，所述吸孔抽取真空的時刻順序為從吸盤中心吸孔至吸盤邊緣吸孔，使硅片從中心至邊緣依次被吸附；如果硅片的翹曲為從邊緣到中心，所述吸孔抽取真空的時刻順序為從吸盤邊緣吸孔至吸盤中心吸孔，使硅片從邊緣至中心依次被吸附。

優選的，如果硅片的翹曲為從中心到邊緣，所述吸孔抽取真空的真空度為從吸盤中心吸孔至吸盤邊緣吸孔依次增強；如果硅片的翹曲為從邊緣到中心，所述吸孔抽取真空的真空度為從吸盤吸孔邊緣至吸盤中心吸孔依次增強。

優選的，距離吸盤中心相同半徑的吸孔抽取真空的時刻相同。

優選的，距離吸盤中心相同半徑的吸孔抽取真空的真空度相同。

優選的，吸盤上還包括多個不覆蓋吸孔的密封圈。

優選的，所述密封圈均勻分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

優選的，還包括以下步驟：在所述分管道對所述吸孔抽取真空時，所述密封圈根據所述吸孔抽取真空的時刻和真空度依次與硅片相互擠壓而形成真空。

本發明一種硅片吸附裝置及其吸附方法的優點在于通過分時控制吸孔的真空度，保證硅片安全固定，降低硅片被拒絕的機會，提高產率，并且使硅片產生與翹曲方向相反的形變，保證硅片曝光質量，提高硅片的良率。

附圖說明

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。

圖1為現有技術中吸盤上吸孔的分布示意圖；

圖2為現有技術中吸盤結構示意圖；

圖3為現有技術中吸盤吸附硅片時產生真空泄漏的示意圖；

圖4為本發明第一實施例硅片吸附裝置結構示意圖；

圖5為本發明硅片吸附方法的流程圖；

圖6為本發明第二實施例硅片吸附裝置結構示意圖；

圖7為圖6中硅片吸附過程效果示意圖；

圖8為圖6中硅片吸附完成效果示意圖。

具體實施方式