[發明專利]一種硅片吸附裝置及其吸附方法

有效

• 申請號: 201210103995.5
• 申請日: 2012-04-11
• 公開（公告）號: CN103367217A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 段立峰;馬明英;蔡良斌;李術新;王獻英
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

1.一種硅片吸附裝置，包括：

吸盤，固定于工件臺上，所述吸盤上分布有多個吸孔；

多個分管道，與所述吸孔分別對應且連接；

總管道，與所述多個分管道連通，將所述分管道和吸孔的氣體抽出，使硅片和所述吸盤之間形成真空并相互緊貼；

其特征在于，還包括，與所述多個分管道分別對應的多個控制器，控制各個分管道對吸孔抽取真空的時刻和真空度。

2.根據權利要求1所述的硅片吸附裝置，其特征在于，還包括多個密封圈，所述密封圈位于吸盤上且不覆蓋吸孔。

3.根據權利要求2所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述密封圈均勻分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

4.根據權利要求1所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述吸孔分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

5.根據權利要求4所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述吸孔均勻分布。

6.一種采用如權利要求1或2所述裝置的硅片吸附方法，其特征在于，包括：

根據硅片的翹曲方向規劃各個所述吸孔抽取真空的時刻；

根據硅片的翹曲程度規劃各個所述吸孔抽取真空的真空度；

根據規劃的各個所述吸孔抽取真空的時刻和真空度，由所述控制器控制所述分管道對所述吸孔抽取真空。

7.根據權利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，所述吸孔均勻分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

8.根據權利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，如果硅片的翹曲為從中心到邊緣，所述吸孔抽取真空的時刻順序為從吸盤中心吸孔至吸盤邊緣吸孔，使硅片從中心至邊緣依次被吸附；如果硅片的翹曲為從邊緣到中心，所述吸孔抽取真空的時刻順序為從吸盤邊緣吸孔至吸盤中心吸孔，使硅片從邊緣至中心依次被吸附。

9.根據權利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，如果硅片的翹曲為從中心到邊緣，所述吸孔抽取真空的真空度為從吸盤中心吸孔至吸盤邊緣吸孔依次增強；如果硅片的翹曲為從邊緣到中心，所述吸孔抽取真空的真空度為從吸盤吸孔邊緣至吸盤中心吸孔依次增強。

10.根據權利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，距離吸盤中心相同半徑的吸孔抽取真空的時刻相同。

11.根據權利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，距離吸盤中心相同半徑的吸孔抽取真空的真空度相同。

12.根據權利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，吸盤上還包括多個不覆蓋吸孔的密封圈。

13.根據權利要求12所述的硅片吸附方法，其特征在于，所述密封圈均勻分布在以吸盤中心為圓心的多個同心圓上。

14.根據權利要求12所述的硅片吸附方法，其特征在于還包括以下步驟：在所述分管道對所述吸孔抽取真空時，所述密封圈根據所述吸孔抽取真空的時刻和真空度依次與硅片相互擠壓而形成真空。