[發明專利]半導體激光器模塊及其制造方法有效
| 申請號: | 201210103768.2 | 申請日: | 2012-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN102738699A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 小林直樹 | 申請(專利權)人: | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/022 | 分類號: | H01S5/022;H01S5/40 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體激光器 模塊 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請基于2011年4月14日遞交的日本專利申請No.2011-090342,并要求其優先權,將其公開全部合并在此作為參考。
技術領域
本發明涉及用于光通信等的半導體激光器模塊及其制造方法。
背景技術
近年來的技術發展導致了光通信系統的巨大進步。特別是,諸如高速光信號及其波長復用之類的技術正在進步,以便增加光纖的利用率。根據技術發展,對于光通信系統中所使用部件的要求正逐年變得越來越苛刻。
同時,根據FTTH(光纖到戶)的發展,所使用部件成本的減少已經成為重要的問題。近來,對于FTTH增速的需求在增加。例如,最初使用約100Mbps的傳輸速度。但是,近來2.4Gbps傳輸速度的FTTH被引入了市場。另外,10Gbps傳輸速度的FTTH也將出現在市場上。
如上所述,在要求幾個Gbps通信容量的條件下,需要采用單模振蕩的激光二極管(下文中稱作“LD”)。通常,使用DFB(分布反饋)-LD。為了將從DFB-LD發射的信號有效地耦合到光纖中,要求亞微米級別的位置對準。對準所需的步驟數目在減小成本方面是個大問題。作為克服這種問題的措施,存在這樣一種方法:通過被動對準將LD安裝到平面光波回路(下文中稱作“PLC”)上(日本未審專利公開Hei09-304663(專利文獻1))。利用這種方法,不需要為對準耗費時間,使得可以實現成本的極大減小。
日本未審專利公開Hei09-304663(專利文獻1)、日本未審專利公開2003-023200(專利文獻2)、日本未審專利公開2009-212176(專利文獻3)、日本未審專利公開Hei?07-072352(專利文獻4)和日本未審專利公開Hei?11-233877(專利文獻5)公開了一種LD模塊,其包括基板、LD芯片和用于將基板和LD芯片結合的焊接凸塊(solder?bump)。在專利文獻1的圖1和0013段中,描述了將焊接凸塊設置在LD芯片的中心。然而,沒有提到關于焊接凸塊寬度和LD芯片的有源層寬度的關系。在專利文獻2的圖1和圖7中,焊接凸塊幾乎散布在LD芯片的整個表面上。在專利文獻3的第0028段中,描述了將焊料散布在盡可能寬的區域上。在專利文獻4的圖2中,通過在LD芯片的中心和四個角中設置焊接凸塊,將焊接凸塊基本上散布在幾乎整個表面上。在專利文獻5的圖6和0003-0005段中,描述了將焊接電極處理為條形。然而,沒有提到關于焊接凸塊寬度和LD芯片的有源層寬度的關系。將如下所述定義本說明書中的“寬度”。
下文中需要注意的是“LD”主要意味著“DFB-LD”。其中將LD芯片安裝到PLC板上的LD模塊的優勢在于可以低成本制造。同時,這種LD模塊具有以下缺點:邊模抑制比(下文中稱作“SMSR”)容易改變。這是因為對于應力敏感的LD芯片通過焊接結合而安裝到PLC板上。也就是說,由于焊接結合而將應力施加于LD的有源層,使得LD的振蕩狀態變得不穩定。這導致了SMSR的退化。
根據相關技術的LD芯片安裝方法如下。首先,在PLC板上的電極上形成焊接凸塊。隨后,將LD芯片放置到焊接凸塊上,使得具有有源層的一面朝向焊接凸塊一側。最后,向PLC板加熱以熔化焊料,并且在熔化之后冷卻焊料,從而完成了LD模塊。由于焊接結合,LD的有源層受到由于焊料的熱收縮而引起的應力。
作為用于減小施加于有源層上的應力的技術,提出了這樣一種技術:在LD芯片有源層下方的外圍不形成電極(專利文獻3)。利用這種技術,在沒有形成電極的LD芯片部分中不會使LD芯片表面和焊料合金化,使得可以減小加在LD芯片上的應力。然而利用這種技術,即使可以減小加在LD芯片上的應力,由于根據LD動作引起的升溫,在光學表面中產生了性質退化。這是因為以下原因。也就是說,位于有源層正下方的焊接結合區域變小,并且從LD產生的熱的廢熱路徑變窄,使得LD芯片的熱輻射性質退化。因為熱輻射性質較差,由LD產生的熱繼續存在于LD的外圍。這增加了LD的內部溫度,并且使光輸出退化。LD具有在溫度升高時光輸出減弱的特性,使得強烈希望LD外圍中的熱輻射性質較好。
如上所述,安裝LD時的關鍵點在于減小加在LD芯片上的應力,并且充分確保LD芯片的熱輻射性質。因此,本發明的示例目的是提供一種同時滿足以上兩點的LD模塊,并且提供其制造方法。
發明內容
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