[發明專利]半導體激光器模塊及其制造方法

有效

• 申請號: 201210103768.2
• 申請日: 2012-04-10
• 公開（公告）號: CN102738699A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 小林直樹
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種半導體激光器模塊，包括：

基板，具有基板側電極；

半導體激光器芯片，具有芯片側電極以及在與芯片側電極相鄰的內部形成的條形有源層；以及

焊接凸塊，只設置在有源層的正下方，用于結合基板側電極和芯片側電極。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中：

假設在芯片側電極和焊接凸塊接觸的表面中沿與有源層的延伸方向正交的方向的尺寸是寬度，則焊接凸塊的寬度最大是100μm或以下。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中：

假設芯片側電極和焊接凸塊接觸的表面中與有源層的延伸方向正交的方向是X軸，沿X軸的尺寸是寬度，有源層寬度的中心是X軸的原點，有源層的寬度在X軸上的坐標是±a，以及焊接凸塊的寬度在X軸上的坐標是±b，則以下表達式適用：

|2a|＜|2b|≤100[μm]。

4.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中：

基板或半導體激光器芯片的至少一個包括底座，所述底座將與基板側電極和芯片側電極之間的距離相對應的焊接凸塊的高度設置為預先限定的值。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器模塊，其中：

所述底座形成于基板上半導體激光器芯片沿與有源層延伸方向正交的方向的兩端接觸的位置處。

6.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中：

所述焊接凸塊是橢圓柱形，并且設置為使得焊接凸塊的長軸處于有源層的延伸方向。

7.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中：

所述焊接凸塊是圓柱形。

8.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中當將所述焊接凸塊定義為第一焊接凸塊時，所述半導體激光器模塊還包括第二焊接凸塊，設置在第一焊接凸塊和半導體激光器芯片的邊緣之間，用于結合基板側電極和芯片側電極。

9.根據權利要求1所述的半導體激光器模塊，其中：

假設在芯片側電極和焊接凸塊接觸的表面中沿與有源層的延伸方向正交的方向的尺寸是寬度，則焊接凸塊包括寬度最大為100μm或以下的主體以及寬度大于100μm的突出部。

10.一種用于制造半導體激光器模塊的方法，

所述半導體激光器模塊包括：

基板，具有基板側電極；

半導體激光器芯片，具有芯片側電極以及在與芯片側電極相鄰的內部形成的條形有源層；以及

焊接凸塊，只設置在有源層的正下方，用于結合基板側電極和芯片側電極，

所述方法包括：

將焊接凸塊放置到基板的基板側電極上；

通過使芯片側電極面朝焊接凸塊，將半導體激光器芯片放置到焊接凸塊上；以及

通過加熱和熔化焊接凸塊來結合基板側電極和芯片側電極。