[發明專利]一種全自動化SE電池量產腐蝕裝置及加工方法無效
| 申請號: | 201210102197.0 | 申請日: | 2012-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN102637774A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發明(設計)人: | 孫良欣;夏文斌;劉小龍 | 申請(專利權)人: | 吉陽設備(海安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市商泰律師事務所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
| 地址: | 226611 江蘇省南通市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自動化 se 電池 量產 腐蝕 裝置 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種全自動化SE電池量產腐蝕裝置及加工方法,屬于光伏技術領域。
背景技術
目前,制絨是對硅片表面進行各向同性腐蝕,形成微溝,降低硅片表面的反射率,促使太陽在硅片表面進行多級反射,提升光的利用率。在太陽能晶硅電池的制備工藝中,制絨工藝是關系到太陽能電池表面的光吸收的重要部分,也是提高太陽能電池轉換效率的重要途徑之一。
在制絨工藝中,酸制絨處理設備是很重要的一部份,現有制絨處理設備是由處理槽(含內、外槽)和循環儲存罐(處理液用)所構成。但存在以下幾個問題:
1:酸制絨處理設備的基板表面的要求是刻蝕中要確保被處理物的表面溫度和濃度要均勻。在處理大量的被處理物時,要確保所有表面整體的溫度、濃度達到均勻性是很難做到的。
2:將大量的被處理物一次性放入處理槽中處理時,按現有的方法(槽的構造也僅是從槽底部的注入到槽上部的溢流)即使沒有強烈的反應熱的發生,基板的上下溫度差和濃度差也是必然要發生的,為此很難保證被處理物處理完畢后表面的均一性,并且如何提高刻蝕后的表面精度也是很困難的問題。
3:為改善濃度及溫度不均勻的問題,如果僅僅將循環流量大幅度的增加,會帶來上部液面極端上升的問題。如此不僅給設備小型化帶來了障礙,也存在下面噴淋過程中達不到完全噴淋等問題(比如傳送機械手以及帶把手的花籃會使下面噴淋不到位等)。
發明內容
為了克服現有的不足,本發明提供一種全自動化SE電池量產腐蝕裝置及加工方法。
本發明要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足,提供了一種全自動化SE電池量產腐蝕裝置及加工方法,可以確保被處理物的表面溫度和濃度均勻,以及提高刻蝕后的表面精度,大大提高了電池片的轉換率;解決背景技術存在的問題。
為實現以上目的,本發明提供了一種全自動化SE電池量產腐蝕加工方法,含有以下步驟:
步驟1、自動上料被處理物硅片;
步驟2、被處理物硅片進入2#酸腐蝕槽;
步驟3、被處理物硅片進入3#酸腐蝕槽;
步驟4、被處理物硅片進入4#QDR槽;
步驟5、被處理物硅片進入5#堿洗槽;
步驟6、被處理物硅片進入6#噴淋槽;
步驟7、被處理物硅片進入7#堿洗槽;
步驟8、被處理物硅片進入8#噴淋槽;
步驟9、被處理物硅片進入9#超聲波清洗槽;
步驟10、被處理物硅片進入10#超聲波清洗槽;
步驟11、被處理物硅片進入11#噴淋槽;
步驟12、被處理物硅片進入12#慢提拉槽;
步驟13、被處理物硅片進入13#自動下料;
上述步驟中腐蝕槽的堿洗藥液自動循環并鼓泡,確保藥液的均勻;
對腐蝕槽、堿洗、IPA工藝槽上、側部設計排風管路,保持設備內部工作環境清潔,防止交叉污染。
還含有以下步驟:
液位、溫度等參數檢測步驟;
液位:對槽體的液位補液箱的液位和加熱箱的液位進行時時控制起到保護作用。
溫度:對槽體的溫度補液箱的溫度和加熱箱的溫度進行時時控制起到保護作用;
自動、手動操作轉換步驟;
手動步驟:可以對每各閥門,泵,電機,加熱器單獨啟動,對機械手可以手動縱向和橫向到達任意位置。
自動步驟:對每個槽體自動補液,溫度自動調節,液位自動調節,機械手自動在槽體之間運送花籃,機械手到達每個槽工位時槽蓋將會自動開啟,離開時槽蓋將會自動關閉。
時間、溫度、搬送速度數字化設定步驟;
可以對時間、溫度和機械手的運行速度進行合理性設定,以達到生產工藝的要求。
對設備進行全方位的安全保護步驟,機械手急停、系統急停、機械手上下極限、左右極限開關啟動步驟。
對設備手動運行步驟,通過按鈕按照管路圖設定畫面對設備準備完成監視,每個槽體各種功能監視,包括液位,操蓋狀態,機械手到位狀態,泵和閥門的啟停,加熱器的啟停,報警顯示,報警記錄。
全自動化SE電池量產腐蝕裝置,包括:自動上料裝置或自動下料裝置、慢提拉槽1、第一噴淋槽2、第一超聲波清洗槽3、第二超聲波清洗槽4、第二噴淋槽5、第一堿洗槽6、第三噴淋槽7、第二堿洗槽8、QDR槽9、第一酸腐蝕槽10、第二酸腐蝕槽11、自動上料裝置或自動下料裝置依次順序排列和連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





