[發明專利]參考電壓/電流產生裝置

無效

• 申請號: 201210102047.X
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN103365330A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 林永洲;張淙豪
• 申請（專利權）人: 聯詠科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種參考電壓/電流產生裝置，包括：

一溫度無關電壓源，根據具有一負溫度系數的一接面壓差，產生具有一正溫度系數的一第一電流以及具有一零溫度系數的一參考電壓；

一鏡射單元，耦接至該溫度無關電壓源，該鏡射單元根據該第一電流鏡射得到具有該正溫度系數的一第二電流，并依據該第二電流產生具有該負溫度系數的一接面電壓；

一電壓轉電流單元，耦接至該鏡射單元，并將該接面電壓轉換得到具有該負溫度系數的一第三電流；以及

一電流合成單元，耦接至該鏡射單元以鏡射該第二電流得到一第四電流，以及耦接至該電壓轉電流單元以鏡射該第三電流得到一第五電流，并將該第四電流與第五電流合成為具有一零溫度系數的一參考電流。

2.如權利要求1所述的參考電壓/電流產生裝置，其中該溫度無關電壓源包括：

一運算放大器，具有第一與第二輸入端，以及一輸出端；

一第一偏壓金屬氧化物半導體晶體管，其具有一柵極耦接至該輸出端，以響應于該輸出端的一電壓電平來產生該第一電流；以及；

一帶隙參考電路，耦接至該第一與第二輸入端與該第一偏壓金屬氧化物半導體晶體管的一源/漏極，用以產生該接面壓差，并根據該第一電流與該接面壓差得到該參考電壓。

3.如權利要求2所述的電壓/電流源裝置，其中該帶隙參考電路包括：

多個接面晶體管，分別提供多個基極-射極電壓差，藉以產生該接面壓差；及

多個電阻，耦接至該第一與第二輸入端、該第一偏壓金屬氧化物半導體晶體管及這些接面晶體管，以根據該第一電流與該接面壓差得到該參考電壓。

4.如權利要求2所述的電壓/電流源裝置，其中為一N型金屬氧化物半導體晶體管。

5.如權利要求2所述的電壓/電流源裝置，其中該鏡射單元包括：

一鏡射金屬氧化物半導體晶體管，其具有一柵極耦接至該第一偏壓金屬氧化物半導體晶體管的該柵極，以接收該柵極的偏壓，而將該第一電流鏡射得到該第二電流；以及

一接面晶體管，耦接至該鏡射金屬氧化物半導體晶體管的一源/漏極，以依據該第二電流來產生該接面電壓。

6.如權利要求5所述的電壓/電流源裝置，其中該第一偏壓金屬氧化物半導體晶體管與該鏡射金屬氧化物半導體晶體管皆為一N型金屬氧化物半導體晶體管。

7.如權利要求1所述的電壓/電流源裝置，其中該鏡射單元包括：

一鏡射金屬半晶體管，其具有一柵極耦接至該溫度無關電壓源，以接收該溫度無關電壓源的偏壓，將該第一電流鏡射得到該第二電流；以及

一接面晶體管，耦接至該鏡射金屬氧化物半導體晶體管，以依據該第二電流來產生該接面電壓。

8.如權利要求1所述的電壓/電流源裝置，其中該電壓電流轉換單元包括：

一運算放大器，其具有一第一輸入端耦接至該鏡射電路的該接面電壓，以及一第二輸入端與一輸出端；

一電阻，耦接于該第二輸入端與一電壓源電位之間；

一第二偏壓金屬氧化物半導體晶體管，其具有一柵極耦接至該運算放大器的該輸出端，一第一源/漏極耦接至該該第二輸入端，以及一第二源/漏極耦接至電流合成單元。

9.如權利要求1所述的電壓/電流源裝置，其中該電流合成單元包括：

一第一電流鏡單元，耦接至該鏡射單元與一合成節點之間，以鏡射該第二電流得到該第四電流；以及

一第二電流鏡單元，耦接至該電壓轉電流單元與該合成節點之間，以鏡射該第三電流得到該第五電流，

其中該第四電流與第五電流于該合成節點合成為該參考電流。