[發明專利]參考電壓/電流產生裝置無效
| 申請號: | 201210102047.X | 申請日: | 2012-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN103365330A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 林永洲;張淙豪 | 申請(專利權)人: | 聯詠科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 參考 電壓 電流 產生 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種參考電壓/電流產生裝置,且特別是一種可同時產生溫度無關的參考電壓及參考電流的參考電壓/電流產生裝置。
背景技術
在科技發展日新月異的現今時代中,溫度無關供電電路被開發出來,以針對多種具溫度敏感特性的負載電路進行供電操作。一般來說,現有的溫度無關供電電路應用多個具有不同溫度特性的子單元,例如是一個可提供正溫度系數電信號的子單元及一個可提供負溫度系數電信號的子單元;并將此正溫度系數電信號及此負溫度系數電信號進行加總,藉此提供與溫度變化實質上無關的參考電信號。然而,如何設計出更便利的溫度無關供電電路,以針對相關的具溫度敏感特性的負載電路提供更理想的溫度無關電信號,為業界不斷致力的方向之一。
發明內容
本揭露提出一種參考電壓/電流產生裝置,其具有噪聲抵抗能力較高的優點。此參考電壓/電流產生裝置中的溫度無關電壓源可使用操作于飽和區的N通道MOS晶體管作為電流偏壓晶體管,其偏壓電流較不容易因為供電電壓擾動而跟著變動,故參考電壓/電流產生裝置可產生較穩定的參考電壓。
根據本揭露的第一方面,提出一種參考電壓/電流產生裝置,包括溫度無關電壓源、鏡射單元電壓轉電流單元及電流合成單元。溫度無關電壓源根據具有負溫度系數的接面壓差產生具有正溫度系數的第一電流及具有零溫度系數的參考電壓。鏡射單元耦接至溫度無關電壓源,并根據第一電流鏡射得到具有正溫度系數的第二電流,并依據第二電流產生具有負溫度系數的接面電壓。電壓轉電流單元耦接至鏡射單元,并將接面電壓轉換得到具有負溫度系數的第三電流。電流合成單元耦接至鏡射單元以鏡射第二電流得到第四電流,及耦接至電壓轉電流單元以鏡射第三電流得到第五電流,并將第四電流與第五電流合成為具有零溫度系數的參考電流。
為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特舉優選實施例,并配合附圖,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1繪示依照本發明實施例的參考電壓/電流產生裝置的電路圖。
圖2繪示依照本發明實施例的參考電壓/電流產生裝置的另一電路圖。
圖3繪示依照本發明實施例的參考電壓/電流產生裝置的再一電路圖。
【主要元件符號說明】
1、2、4:參考電壓/電流產生裝置
100、120、140:溫度無關電壓源
101、121、141:運算放大器
102、122、142:帶隙參考電路
M1:偏壓金屬氧化物半導體晶體管
A、B、No:節點
R1-R3:電阻
Q1、Q2:接面晶體管
200、220、240:鏡射單元
M2:鏡射金屬氧化物半導體晶體管
R4:電阻
D:節點
Q3:接面晶體管
300、320、340:電壓轉電流單元
301、321、341:運算放大器
R5:電阻R5
C:節點
M7:偏壓金屬氧化物半導體晶體管
400、420、440:電流合成單元
401、402、421、422、441、442:鏡射單元
E:合成節點
M3-M6:晶體管
Q1’、Q2′:接面晶體管
Q1”、Q2″:接面晶體管
具體實施方式
在本發明的范例實施例中,參考電壓/電流產生裝置具有噪聲抵抗能力較高的優點。在一些實施例中,參考電壓/電流產生裝置中的溫度無關電壓源使用操作于飽和區的N通道MOS晶體管作為電流偏壓晶體管,其偏壓電流較不容易因為供電電壓擾動而跟著變動,故參考電壓/電流產生裝置可產生較穩定的參考電壓。為更清楚地了解本發明,以下將配合附圖,以至少一范例實施例來作詳細說明。此外,以下實施例中所提到的連接用語,例如:耦接或連接等,僅是參考附加圖式用以例示說明,并非用來限制實際上兩個元件之間的連接關系是直接耦接或間接耦接。
請參照圖1,其繪示依照本發明實施例的參考電壓/電流產生裝置的電路圖。本實施例的參考電壓/電流產生裝置1包括溫度無關電壓源100、鏡射單元200、電壓轉電流單元300及電流合成單元400,其中溫度無關電壓源100與鏡射單元200耦接;鏡射單元200與電壓轉電流單元300及電流合成單元400耦接;電壓轉電流單元300更與電流合成單元400耦接。
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