[發(fā)明專利]一種用于芯片靜電保護(hù)驗(yàn)證方法及其驗(yàn)證裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210101992.8
• 申請(qǐng)日: 2012-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN102651046A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓智毅;張煒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山華芯微特科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京瑞恒信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;黃慶芳

1.一種用于芯片靜電保護(hù)的驗(yàn)證裝置，其特征在于，該靜電保護(hù)驗(yàn)證裝置為網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中在所述網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中包括多個(gè)靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元、多組電源端以及多組單元接地端；在所述網(wǎng)絡(luò)中包括第一類靜電保護(hù)器件、第二類靜電保護(hù)器件和第三類靜電保護(hù)器件；

其中每個(gè)靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元包括兩個(gè)第一類靜電保護(hù)器件和一個(gè)第二類靜電保護(hù)器件，兩個(gè)第一類靜電保護(hù)器件串聯(lián)連接后，與第二類靜電保護(hù)器件并聯(lián)連接；其中，該并聯(lián)結(jié)構(gòu)中，其中一個(gè)第一類靜電保護(hù)器件的陰極和該第二類靜電保護(hù)器件的一端分別與電源連接；另一個(gè)第一類靜電保護(hù)器件的陽極和第二類靜電保護(hù)器件的另一端分別與地連接；在串聯(lián)方向的任意兩個(gè)靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元的電源端之間布置一個(gè)第三類靜電保護(hù)器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驗(yàn)證裝置，其特征在于，該靜電保護(hù)驗(yàn)證裝置為矩形網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中矩形網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的每一豎邊均包括n個(gè)靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元，每一橫邊均包括m個(gè)靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元，其中n≥1，n為自然數(shù)，并且m≥1，m為自然數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驗(yàn)證裝置，其特征在于，將多個(gè)第三類靜電保護(hù)器件分別連接在不同組靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元的電源之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驗(yàn)證裝置，其特征在于，當(dāng)多組靜電保護(hù)驗(yàn)證子單元的電源為3個(gè)時(shí)，采用3個(gè)第三類靜電保護(hù)器件分別連接在不同組電源之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的驗(yàn)證裝置，其特征在于，所述第一類靜電保護(hù)器件為二極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的驗(yàn)證裝置，其特征在于，第二類靜電保護(hù)器件為夾腳類器件，第三類靜電保護(hù)器件是寄生二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的驗(yàn)證裝置，其特征在于，采用并聯(lián)反向二極管連接于不同的單元地之間。

8.一種采用權(quán)利要求1-7中任一驗(yàn)證裝置進(jìn)行芯片靜電保護(hù)的驗(yàn)證方法，包括：

步驟1，建立參數(shù)化的二極管物理模型；

步驟2，構(gòu)建權(quán)利要求1-8中的靜電保護(hù)驗(yàn)證裝置的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；

步驟3，采用所述網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)進(jìn)行靜電保護(hù)驗(yàn)證。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驗(yàn)證方法，其中，步驟1中，在基于第一、第二和第三類靜電保護(hù)器件，提取物理模型參數(shù)，其中，IS＝IS_0*N_ESD+1e^-24；BV＝BV_0*N_ESD+400*(N_ESD-1)；CJO＝CJ_0*SIGN(N_ESD+N_CJO)+1e^-30；

其中，IS為飽和電流模型參數(shù)，IS_0為飽和電流值；BV為反向擊穿電壓模型參數(shù)，BV_0為反向擊穿電壓數(shù)值；CJO為零偏壓結(jié)電容模型參數(shù)，CJO_0零偏壓結(jié)電容數(shù)值，N_ESD是參數(shù)開關(guān)，當(dāng)其取1時(shí)，用于靜電仿真驗(yàn)證；取0時(shí)，作電路功能仿真驗(yàn)證；N_CJO是電容開關(guān)參數(shù)，當(dāng)N_ESD為0時(shí)，如N_CJO為1，靜電二極管的電容參數(shù)參與電路功能仿真驗(yàn)證。