[發明專利]懸空半導體薄膜結構及傳感器單元的制造方法

無效

• 申請號: 201210101985.8
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN102616732A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 張挺;薛維佳
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底；

對所述半導體基底的正面執行P型摻雜工藝，形成第一摻雜層；

在所述半導體基底的正面及背面形成保護層；

對所述半導體基底背面采用光刻進行圖形化，并采用背面腐蝕工藝，得到懸空的半導體薄膜結構。

2.如權利要求1所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度為100納米～20微米。

3.如權利要求1所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，在對所述半導體基底的正面執行P型摻雜工藝的同時，在背面執行P型摻雜工藝，形成第二摻雜層。

4.如權利要求1所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，在所述半導體基底的背面形成保護層的同時，在正面形成保護層。

5.如權利要求1所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述保護層的材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一種或多種。

6.如權利要求1所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述保護層為單層結構或者多層結構。

7.如權利要求1至6中的任一項所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述P型摻雜工藝為擴散法或離子注入法。

8.如權利要求1至6中的任一項所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述P型摻雜工藝的摻雜離子至少包含硼、銦、鋁、鎵中的一種。

9.如權利要求8所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述P型摻雜工藝的摻雜離子濃度為10¹⁹cm^-3～10²²cm^-3。

10.如權利要求1至6中的任一項所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述半導體基底的材料為單晶硅。

11.如權利要求1至6中的任一項所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述半導體基底為單面拋光或雙面拋光的半導體基底。

12.如權利要求1至6中的任一項所述的懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，所述腐蝕工藝采用的溶液為KOH或TMAH。

13.一種懸空半導體薄膜結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底；

在所述半導體基底的背面形成保護層；

對所述半導體基底的正面執行P型摻雜工藝，形成第一摻雜層；

對所述半導體基底背面采用光刻進行圖形化，并采用背面腐蝕工藝，得到懸空的半導體薄膜結構。

14.一種傳感器單元的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底；

對所述半導體基底的正面執行P型摻雜工藝，形成第一摻雜層；

在所述半導體基底的正面及背面形成保護層，所述保護層為絕緣材料；

在正面的保護層上形成傳感器單元；

對所述半導體基底背面采用光刻進行圖形化，并采用背面腐蝕工藝，得到懸空的傳感器單元。

15.如權利要求14所述的傳感器單元的制造方法，其特征在于，所述傳感器單元為流量傳感器。

16.如權利要求15所述的傳感器單元的制造方法，其特征在于，所述流量傳感器包括加熱單元和溫阻單元。

17.如權利要求16所述的傳感器單元的制造方法，其特征在于，所述加熱單元和溫阻單元的數量分別為一個或者多個。

18.如權利要求14所述的傳感器單元的制造方法，其特征在于，在所述正面的保護層上形成傳感器單元之后，且對所述半導體基底背面采用光刻進行圖形化，并采用背面腐蝕工藝之前，還包括如下工藝步驟：

形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋并保護所述傳感器單元。