[發明專利]甜葉菊同源四倍體植株的培育方法

無效

• 申請號: 201210101031.7
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN102613085A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 向增旭;李紅
• 申請（專利權）人: 南京農業大學
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 徐冬濤

1.甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于該方法利用濃度為0.5g/L～2.0g/L的秋水仙素溶液浸泡甜葉菊不定芽12～48h，用無菌水清洗后接種在MS培養基中，培養20～30天獲得變異幼苗，再將幼苗接種到生根培養基中，待根長至2～3cm。

2.根據權利要求1所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于該方法具體包括以下步驟：將不定芽浸泡在含2％二甲基亞砜的濃度為0.5g/L～2.0g/L秋水仙素溶液中，處理12～48h，浸泡后的不定芽用無菌水沖洗3～4次，吸干水接種到MS培養基中，在光照度1500～2000Lx，每天光照12h，溫度23～25℃的環境條件下培養20～30天，得到長3～4cm變異幼苗，將幼苗接種到生根培養基中進行生根培養，待根長至2～3cm。

3.根據權利要求1或2所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于該方法所述的生根培養基的組成為：

1/2MS培養基

。

4.根據權利要求1或2所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于不定芽的獲得包括以下步驟：取甜葉菊植株的嫩芽，滅菌后接種到誘導培養基中，培養溫度23～25℃，每日光照12h，光照度1500～2000Lx，培養15～20天，誘導出不定芽。

5.根據權利要求4所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于所述的滅菌方法是將甜葉菊植株的嫩芽先用洗衣粉洗凈，再用流動的清水沖洗1～2h，用75％酒精浸泡30S，無菌水沖洗2～3次之后放入0.10％的升汞溶液中浸泡5～8min，用無菌水沖洗3～4次。

6.根據權利要求4所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于所述的誘導培養基的組成為：

MS培養基

。

7.根據權利要求1所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于該方法具體包括以下步驟：

A、不定芽的獲得：取甜葉菊植株的嫩芽，先用洗衣粉洗凈再用流動的清水沖洗1～2h，用75％酒精浸泡30S，無菌水沖洗2～3次之后放入0.10％的升汞溶液中浸泡5～8min，用無菌水沖洗3～4次。將滅菌后的嫩芽接種到誘導培養基中，誘導培養基組分為：

MS培養基

以日光燈為光源，光照度1500～2000Lx，每天光照12h，溫度23～25℃的環境條件下培養15～20天，誘導不定芽；

B、甜葉菊同源四倍體誘導：將不定芽浸泡在加入2％二甲基亞砜的濃度為0.5～2.0g/L秋水仙素溶液中，處理12～48h，浸泡后的不定芽用無菌水沖洗3～4次，吸干水接種到MS培養基中，在光照度1500～2000Lx，每天光照12h，溫度23～25℃的環境條件下培養20～30天，得到長3～4cm變異幼苗，將幼苗接種到生根培養基中進行生根培養，生根培養基組分為：

1/2MS培養基

生根培養以日光燈為光源，光照度1500～2000Lx，每天光照12h，溫度23～25℃的環境條件下培養20～30天，待根長至2～3cm。

8.根據權利要求1所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于將確定為四倍體的植株擴繁移栽，具體包括以下步驟：將確定為四倍體的植株切成莖段接種到權利要求6所述的誘導培養基內，待不定芽長至2～3cm，將其轉入權利要求3所述的生根培養基中生根培養，苗高3～4cm，根長約2～3cm時進行煉苗移栽。

9.根據權利要求8所述的甜葉菊同源四倍體植株的培育方法，其特征在于所述的煉苗為先在培養室煉苗2～3d，再在溫室中煉苗2～3d后洗凈根部的培養基，栽到由泥炭∶蛭石∶珍珠巖＝2∶1∶1的基質中。?