[發明專利]一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝

無效

• 申請號: 201210100753.0
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN102615738A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 魏冠然;王天安
• 申請（專利權）人: 魏冠然
• 主分類號: B29B17/02
• 分類號: B29B17/02
• 代理公司: 上海世貿專利代理有限責任公司 31128
• 代理人: 葉克英

技術領域

本發明涉及一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝。

背景技術

目前隨著信息化的到來，越來越多的電子產品進入生活，隨之而來的是大量的更新換代的廢棄電子產品成為難以處理的電子垃圾，由于在這些電子垃圾中，很多是含有金屬、貴金屬的集成電路底板，表面鍍有金屬薄層的塑料件及大量的含有保護層和金屬反射層的光盤，如要實現綠色環保，則必須將將電子垃圾100%的回收再循環利用。但是進行在處理上述廢棄物時，最令人頭痛的問題是如何分離金屬薄層。現在一般采用的是化學法，如在處理光盤時，先將光盤進行破碎，投入酸液（主要是硝酸）浸泡，一定時間后光盤表面的保護層和金屬反射層即被溶解，將光盤的PC（聚碳酸酯）基體取出洗滌后，可用于再造粒生產PC原料。雖然在回收上看做到了光盤的聚碳酸酯材料的回收，但是其造成的二次污染極大，同時利用強酸回收，會腐蝕光盤PC基體，使得PC回收料質量不高，目前國內的光盤處理技術均采用化學法，造成不少地方產生環境污染。其二也有采用機械打磨法，該方法僅適用于完整的CD盤片，通過砂輪將CD盤表面的保護層和金屬反射層打磨掉，剩下來的就是待回收造粒的PC基體。但是它僅適用于完整CD盤片，打磨過程對光盤的PC基體損耗大，回收率低，打磨過程中會將部分金屬反射層壓入PC基體內，影響PC回收質量，目前機械打磨法只存在相關研究，尚未有工程應用。此外目前比較多的還有ABS塑料電鍍件的回收處理也僅限于化學法，與前述的光盤化學法一樣，因使用強酸，二次污染極大，強酸會腐蝕ABS基體，使得ABS回收料質量不高，而化學法是也是目前國內唯一研究并應用的ABS電鍍件回收處理技術。因此目前對于含有金屬薄層非導電基體的廢棄物處理僅限于具有二次污染的化學法回收，是當前綠色循環經濟的一大障礙，亟待開發出新的處理方法以解決目前的問題。

發明內容

本發明的目的是解決現有技術中用化學法對非導電基體上金屬薄層進行分離所存在的上述問題，提供一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝。本發明設計一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：對非導電基體的金屬薄層表面進行高壓放電。其特征在于：在非導電基體的金屬薄層的一端設置高壓放電極，在非導電基體的金屬薄層的另一端設置接地極，高壓放電極接高壓電源。其特征在于：將粉碎的顆粒狀的含有金屬薄層的非導電基體通過兩根平行電極之間，一根電極為接高壓電源的高壓放電極，另一根電極為接地的接地極。其特征在于：對完整CD-ROM光盤的金屬薄層分離時，在中心設置高壓放電極，在外圈設置環形接地極，所接的高壓電源的放電電壓為60~80kV，電流1-3mA，放電時間8~12s。其特征在于：對含有金屬涂層的非導電基體碎片（如ABS電鍍件，光盤碎片等）的金屬薄層分離時，平行電極的高壓放電電極所接的高壓電源的放電電壓為極板間距（cm）*10kV，電流5-20mA，放電時間8~12s。本發明的優點是分離非導電基體上金屬薄層的過程為物理過程，不伴有化學反應。因此本工藝不產生二次污染。分離程度與時間呈正比，便于工程參數調節。（化學法處理要考慮反應速率方程，參數調節繁瑣）本工藝的能耗較低，運行費用低廉。以光盤為例，化學法處理費用約500元/噸，而本工藝的實驗數據推測出的處理費用不超過100元/噸。本工藝只需使用電能，無需化工原料，也沒用排污需求。因此工程應用不受地緣因素影響。

附圖說明

圖1為本發明的一個處理完整光盤的結構示意圖，圖2為本發明的一個處理粉碎光盤的結構示意圖。

下面結合附圖和施工實例對本發明作詳細使用說明。

具體實施方式

一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：對非導電基體的金屬薄層表面進行高壓放電。其特征在于：在非導電基體的金屬薄層的一端設置高壓放電極，在非導電基體的金屬薄層的另一端設置接地極，高壓放電極接高壓電源。其特征在于：將粉碎的顆粒狀的含有金屬薄層的非導電基體通過兩根平行電極之間，一根電極為接高壓電源的高壓放電極，另一根電極為接地的接地極。其特征在于：對完整CD-ROM光盤的金屬薄層分離時，在中心設置高壓放電極，在外圈設置環形接地極，所接的高壓電源的放電電壓為60~80kV，電流1-3mA，放電時間8~12s。其特征在于：對含有金屬涂層的非導電基體碎片（如ABS電鍍件，光盤碎片等）的金屬薄層分離時，平行電極的高壓放電電極所接的高壓電源的放電電壓為極板間距（cm）*10kV，電流5-20mA，放電時間8~12s。