[發明專利]一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝無效
| 申請號： | 201210100753.0 | 申請日： | 2012-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN102615738A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 魏冠然;王天安 | 申請（專利權）人： | 魏冠然 |
| 主分類號： | B29B17/02 | 分類號： | B29B17/02 |
| 代理公司： | 上海世貿專利代理有限責任公司 31128 | 代理人： | 葉克英 |
| 地址： | 200434 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 放電 分離 導電 基體 金屬 薄層 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：對非導電基體的金屬薄層表面進行高壓放電。
2.按權利要求1所述的一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：在非導電基體的金屬薄層的一端設置高壓放電極，在非導電基體的金屬薄層的另一端設置接地極，高壓放電極接高壓電源。
3.按權利要求1所述的一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：將粉碎的顆粒狀的含有金屬薄層的非導電基體通過兩根平行電極之間，一根電極為接高壓電源的高壓放電極，另一根電極為接地的接地極。
4.按權利要求2所述的一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：對完整CD-ROM光盤的金屬薄層分離時，在中心設置高壓放電極，在外圈設置環形接地極，所接的高壓電源的放電電壓為60~80kV，電流1-3mA，放電時間8~12s。
5.按權利要求3所述的一種高壓放電分離非導電基體上金屬薄層的工藝，其特征在于：對含有金屬涂層的非導電基體碎片（如ABS電鍍件，光盤碎片等）的金屬薄層分離時，平行電極的高壓放電電極所接的高壓電源的放電電壓為極板間距（cm）*10kV，電流5-20mA，放電時間8~12s。
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